SFP6N40 Todos los transistores

 

SFP6N40 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SFP6N40
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 76 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 400 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 18 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 65 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 80 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220
 

 Búsqueda de reemplazo de SFP6N40 MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

SFP6N40 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:256K  semiwell
 sfp6n40.pdf pdf_icon

SFP6N40

SemiWell Semiconductor SFP6N40 N-Channel MOSFET Features RDS(ON) Max 1.0 ohm at VGS = 10V Gate Charge ( Typical 18nC) Improve dv/dt capability, Fast switching 100% avalanche Tested General Description This MOSFET is produced using advanced planar strip DMOS technology. This latest technology has been especially designed to minimize on-state resistance have

Otros transistores... SFP13N50 , SFP3710G , SFP50N06 , SFP50N06R , SFP5N50 , SFP630 , SFP634 , SFP640 , IRFZ48N , SFP70N06 , SFP730 , SFP730D , SFP740 , SFP75N08R , SFP830 , SFP830D , SFP840 .

History: WNM07N65

 

 
Back to Top

 


 
.