Справочник MOSFET. SFP6N40

 

SFP6N40 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SFP6N40
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 76 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 400 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 65 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 80 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1 Ohm
   Тип корпуса: TO220
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

SFP6N40 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:256K  semiwell
sfp6n40.pdfpdf_icon

SFP6N40

SemiWell Semiconductor SFP6N40 N-Channel MOSFET Features RDS(ON) Max 1.0 ohm at VGS = 10V Gate Charge ( Typical 18nC) Improve dv/dt capability, Fast switching 100% avalanche Tested General Description This MOSFET is produced using advanced planar strip DMOS technology. This latest technology has been especially designed to minimize on-state resistance have

Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

History: STF20NM60D | YTF840 | BSS138A | AONU32320 | AP4N4R2H | 2SJ542

 

 
Back to Top

 


 
.