SFP6N40 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SFP6N40  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 76 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 400 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

|VGSth|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V

Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 18 nC

tr ⓘ - Время нарастания: 65 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 80 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1 Ohm

Тип корпуса: TO220

Аналог (замена) для SFP6N40

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SFP6N40 даташит

 ..1. Size:256K  semiwell
 sfp6n40.pdf pdf_icon

SFP6N40

SemiWell Semiconductor SFP6N40 N-Channel MOSFET Features RDS(ON) Max 1.0 ohm at VGS = 10V Gate Charge ( Typical 18nC) Improve dv/dt capability, Fast switching 100% avalanche Tested General Description This MOSFET is produced using advanced planar strip DMOS technology. This latest technology has been especially designed to minimize on-state resistance have

Другие IGBT... SFP13N50, SFP3710G, SFP50N06, SFP50N06R, SFP5N50, SFP630, SFP634, SFP640, STP65NF06, SFP70N06, SFP730, SFP730D, SFP740, SFP75N08R, SFP830, SFP830D, SFP840