Справочник MOSFET. SFP6N40

 

SFP6N40 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SFP6N40
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 76 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 400 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 65 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 80 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1 Ohm
   Тип корпуса: TO220
 

 Аналог (замена) для SFP6N40

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SFP6N40 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:256K  semiwell
 sfp6n40.pdf pdf_icon

SFP6N40

SemiWell Semiconductor SFP6N40 N-Channel MOSFET Features RDS(ON) Max 1.0 ohm at VGS = 10V Gate Charge ( Typical 18nC) Improve dv/dt capability, Fast switching 100% avalanche Tested General Description This MOSFET is produced using advanced planar strip DMOS technology. This latest technology has been especially designed to minimize on-state resistance have

Другие MOSFET... SFP13N50 , SFP3710G , SFP50N06 , SFP50N06R , SFP5N50 , SFP630 , SFP634 , SFP640 , IRFZ48N , SFP70N06 , SFP730 , SFP730D , SFP740 , SFP75N08R , SFP830 , SFP830D , SFP840 .

History: WMN53N60F2 | G16P03S | FS1KM-18A | IRFAG40 | HCCZ120R040H1 | 2P979B | CLY2

 

 
Back to Top

 


 
.