SFP70N06 Todos los transistores

 

SFP70N06 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SFP70N06
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 158 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 70 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 60 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 690 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.014 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220
 

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SFP70N06 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:546K  samsung
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SFP70N06

Advanced Power MOSFETFEATURESBVDSS = 60 V Avalanche Rugged TechnologyRDS(on) = 0.012 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input CapacitanceID = 70 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating AreaTO-220 Lower Leakage Current : 10 A (Max.) @ VDS = 60V Lower RDS(ON) : 0.009 (Typ.)1231.Gate 2. Drain 3. SourceAbsolute Maximum RatingsSymbol Characteristic Value

 ..2. Size:565K  winsemi
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SFP70N06

SFP70N06SFP70N06SFP70N06SFP70N06Silicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETFeatures 70A,60V, R (Max0.014)@V =10VDS(on) GS Ultra-low Gate charge(Typical 70nC) Low Crss (Typical 160pF) Improved dv/dt capability 100%Avalanche Tested Maximum Junction Temperature Range(175)General Description

Otros transistores... SFP3710G , SFP50N06 , SFP50N06R , SFP5N50 , SFP630 , SFP634 , SFP640 , SFP6N40 , NCEP15T14 , SFP730 , SFP730D , SFP740 , SFP75N08R , SFP830 , SFP830D , SFP840 , SFP9640L .

History: SI7380ADP | WMX12N120D1 | SSP60R190SFD2 | SIZ900DT | IPP041N12N3 | SSA50R100SFD

 

 
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