SFP70N06 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SFP70N06  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 158 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 25 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 70 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

|VGSth|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V

Qgⓘ - Carga de la puerta: 70 nC

trⓘ - Tiempo de subida: 60 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 690 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.014 Ohm

Encapsulados: TO220

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SFP70N06 datasheet

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SFP70N06

Advanced Power MOSFET FEATURES BVDSS = 60 V Avalanche Rugged Technology RDS(on) = 0.012 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input Capacitance ID = 70 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area TO-220 Lower Leakage Current 10 A (Max.) @ VDS = 60V Lower RDS(ON) 0.009 (Typ.) 1 2 3 1.Gate 2. Drain 3. Source Absolute Maximum Ratings Symbol Characteristic Value

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SFP70N06

SFP70N06 SFP70N06 SFP70N06 SFP70N06 Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Features 70A,60V, R (Max0.014 )@V =10V DS(on) GS Ultra-low Gate charge(Typical 70nC) Low Crss (Typical 160pF) Improved dv/dt capability 100%Avalanche Tested Maximum Junction Temperature Range(175 ) General Description

Otros transistores... SFP3710G, SFP50N06, SFP50N06R, SFP5N50, SFP630, SFP634, SFP640, SFP6N40, IRF1405, SFP730, SFP730D, SFP740, SFP75N08R, SFP830, SFP830D, SFP840, SFP9640L