Справочник MOSFET. SFP70N06

 

SFP70N06 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SFP70N06
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 158 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 70 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 60 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 690 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.014 Ohm
   Тип корпуса: TO220
 

 Аналог (замена) для SFP70N06

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SFP70N06 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:546K  samsung
 sfp70n06.pdf pdf_icon

SFP70N06

Advanced Power MOSFETFEATURESBVDSS = 60 V Avalanche Rugged TechnologyRDS(on) = 0.012 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input CapacitanceID = 70 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating AreaTO-220 Lower Leakage Current : 10 A (Max.) @ VDS = 60V Lower RDS(ON) : 0.009 (Typ.)1231.Gate 2. Drain 3. SourceAbsolute Maximum RatingsSymbol Characteristic Value

 ..2. Size:565K  winsemi
 sfp70n06.pdf pdf_icon

SFP70N06

SFP70N06SFP70N06SFP70N06SFP70N06Silicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETFeatures 70A,60V, R (Max0.014)@V =10VDS(on) GS Ultra-low Gate charge(Typical 70nC) Low Crss (Typical 160pF) Improved dv/dt capability 100%Avalanche Tested Maximum Junction Temperature Range(175)General Description

Другие MOSFET... SFP3710G , SFP50N06 , SFP50N06R , SFP5N50 , SFP630 , SFP634 , SFP640 , SFP6N40 , NCEP15T14 , SFP730 , SFP730D , SFP740 , SFP75N08R , SFP830 , SFP830D , SFP840 , SFP9640L .

History: IRFAG50 | MTEF1P15AV8 | FDD6296 | MT7N65 | NDT50N03 | WSD4066DN | KIA2305

 

 
Back to Top

 


 
.