SFP70N06 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SFP70N06  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 158 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 70 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 60 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 690 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.014 Ohm

Тип корпуса: TO220

Аналог (замена) для SFP70N06

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SFP70N06 даташит

 ..1. Size:546K  samsung
 sfp70n06.pdf pdf_icon

SFP70N06

Advanced Power MOSFET FEATURES BVDSS = 60 V Avalanche Rugged Technology RDS(on) = 0.012 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input Capacitance ID = 70 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area TO-220 Lower Leakage Current 10 A (Max.) @ VDS = 60V Lower RDS(ON) 0.009 (Typ.) 1 2 3 1.Gate 2. Drain 3. Source Absolute Maximum Ratings Symbol Characteristic Value

 ..2. Size:565K  winsemi
 sfp70n06.pdf pdf_icon

SFP70N06

SFP70N06 SFP70N06 SFP70N06 SFP70N06 Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Features 70A,60V, R (Max0.014 )@V =10V DS(on) GS Ultra-low Gate charge(Typical 70nC) Low Crss (Typical 160pF) Improved dv/dt capability 100%Avalanche Tested Maximum Junction Temperature Range(175 ) General Description

Другие IGBT... SFP3710G, SFP50N06, SFP50N06R, SFP5N50, SFP630, SFP634, SFP640, SFP6N40, IRF1405, SFP730, SFP730D, SFP740, SFP75N08R, SFP830, SFP830D, SFP840, SFP9640L