Справочник MOSFET. SFP70N06

 

SFP70N06 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SFP70N06
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 158 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 70 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 60 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 690 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.014 Ohm
   Тип корпуса: TO220
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

SFP70N06 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:546K  samsung
 sfp70n06.pdf pdf_icon

SFP70N06

Advanced Power MOSFETFEATURESBVDSS = 60 V Avalanche Rugged TechnologyRDS(on) = 0.012 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input CapacitanceID = 70 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating AreaTO-220 Lower Leakage Current : 10 A (Max.) @ VDS = 60V Lower RDS(ON) : 0.009 (Typ.)1231.Gate 2. Drain 3. SourceAbsolute Maximum RatingsSymbol Characteristic Value

 ..2. Size:565K  winsemi
 sfp70n06.pdf pdf_icon

SFP70N06

SFP70N06SFP70N06SFP70N06SFP70N06Silicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETFeatures 70A,60V, R (Max0.014)@V =10VDS(on) GS Ultra-low Gate charge(Typical 70nC) Low Crss (Typical 160pF) Improved dv/dt capability 100%Avalanche Tested Maximum Junction Temperature Range(175)General Description

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , AON7408 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

History: SIE810DF | BF964S | MSJAC11N65Y | BSC032N03SG | AOD607 | AP4835GM-HF | STF25N60M2-EP

 

 
Back to Top

 


 
.