SFP75N08R Todos los transistores

 

SFP75N08R MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SFP75N08R
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 173 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 80 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 75 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 225 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 940 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.015 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220
 

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SFP75N08R Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1259K  winsemi
 sfp75n08r.pdf pdf_icon

SFP75N08R

SFP75N08RSFP75N08RSFP75N08RSFP75N08RSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETFeatures R (Max0.015)@V =10vDS(on) GS Gate Charge(Typical 80 nC) Maximum Junction Temperature Range(175)General DescriptionThis Power MOSFET is produced using Winsemis advancedplanar stripe,DMOS technology. This lates

Otros transistores... SFP630 , SFP634 , SFP640 , SFP6N40 , SFP70N06 , SFP730 , SFP730D , SFP740 , IRF1405 , SFP830 , SFP830D , SFP840 , SFP9640L , SFP9N50 , SFR9014TF , SFR9024TM , SFR9034TF .

History: NTTFS3A08PZ | IRLZ14S | RU30L15H | SFP041N100C3 | IRFR4105PBF | IPP029N06N | IRFB3077G

 

 
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