SFP75N08R Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SFP75N08R  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 173 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 80 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 75 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 225 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 940 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.015 Ohm

Encapsulados: TO220

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SFP75N08R datasheet

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SFP75N08R

SFP75N08R SFP75N08R SFP75N08R SFP75N08R Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Features R (Max0.015 )@V =10v DS(on) GS Gate Charge(Typical 80 nC) Maximum Junction Temperature Range(175 ) General Description This Power MOSFET is produced using Winsemi s advanced planar stripe,DMOS technology. This lates

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