Справочник MOSFET. SFP75N08R

 

SFP75N08R Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SFP75N08R
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 173 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 80 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 75 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 225 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 940 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.015 Ohm
   Тип корпуса: TO220
 

 Аналог (замена) для SFP75N08R

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SFP75N08R Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1259K  winsemi
 sfp75n08r.pdf pdf_icon

SFP75N08R

SFP75N08RSFP75N08RSFP75N08RSFP75N08RSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETFeatures R (Max0.015)@V =10vDS(on) GS Gate Charge(Typical 80 nC) Maximum Junction Temperature Range(175)General DescriptionThis Power MOSFET is produced using Winsemis advancedplanar stripe,DMOS technology. This lates

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: DSG108N20NA

 

 
Back to Top

 


 
.