SFP75N08R datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SFP75N08R  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 173 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 80 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 75 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 225 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 940 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.015 Ohm

Тип корпуса: TO220

Аналог (замена) для SFP75N08R

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SFP75N08R даташит

 ..1. Size:1259K  winsemi
 sfp75n08r.pdf pdf_icon

SFP75N08R

SFP75N08R SFP75N08R SFP75N08R SFP75N08R Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Features R (Max0.015 )@V =10v DS(on) GS Gate Charge(Typical 80 nC) Maximum Junction Temperature Range(175 ) General Description This Power MOSFET is produced using Winsemi s advanced planar stripe,DMOS technology. This lates

Другие IGBT... SFP630, SFP634, SFP640, SFP6N40, SFP70N06, SFP730, SFP730D, SFP740, IRF830, SFP830, SFP830D, SFP840, SFP9640L, SFP9N50, SFR9014TF, SFR9024TM, SFR9034TF