SFP9N50 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SFP9N50  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 125 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 500 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 11 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 155 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.85 Ohm

Encapsulados: TO220

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SFP9N50 datasheet

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SFP9N50

SFP9N50 SFP9N50 SFP9N50 SFP9N50 Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Features 9A,500V, R (Max0.85 )@V =10V DS(on) GS Ultra-low Gate charge(Typical 30nC) Fast Switching Capability 100%Avalanche Tested Maximum Junction Temperature Range(150 ) General Description This Power MOSFET is produced usi

Otros transistores... SFP730, SFP730D, SFP740, SFP75N08R, SFP830, SFP830D, SFP840, SFP9640L, K2611, SFR9014TF, SFR9024TM, SFR9034TF, SFR9110TF, SFT1452, SFT210DE, SFT6661, SFW9530TM