SFP9N50 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SFP9N50  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 11 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 155 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.85 Ohm

Тип корпуса: TO220

Аналог (замена) для SFP9N50

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SFP9N50 даташит

 ..1. Size:990K  winsemi
 sfp9n50.pdf pdf_icon

SFP9N50

SFP9N50 SFP9N50 SFP9N50 SFP9N50 Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Features 9A,500V, R (Max0.85 )@V =10V DS(on) GS Ultra-low Gate charge(Typical 30nC) Fast Switching Capability 100%Avalanche Tested Maximum Junction Temperature Range(150 ) General Description This Power MOSFET is produced usi

Другие IGBT... SFP730, SFP730D, SFP740, SFP75N08R, SFP830, SFP830D, SFP840, SFP9640L, K2611, SFR9014TF, SFR9024TM, SFR9034TF, SFR9110TF, SFT1452, SFT210DE, SFT6661, SFW9530TM