Справочник MOSFET. SFP9N50

 

SFP9N50 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SFP9N50
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 11 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 155 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.85 Ohm
   Тип корпуса: TO220
 

 Аналог (замена) для SFP9N50

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SFP9N50 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:990K  winsemi
 sfp9n50.pdf pdf_icon

SFP9N50

SFP9N50SFP9N50SFP9N50SFP9N50Silicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETFeatures 9A,500V, R (Max0.85)@V =10VDS(on) GS Ultra-low Gate charge(Typical 30nC) Fast Switching Capability 100%Avalanche Tested Maximum Junction Temperature Range(150)General DescriptionThis Power MOSFET is produced usi

Другие MOSFET... SFP730 , SFP730D , SFP740 , SFP75N08R , SFP830 , SFP830D , SFP840 , SFP9640L , IRF9640 , SFR9014TF , SFR9024TM , SFR9034TF , SFR9110TF , SFT1452 , SFT210DE , SFT6661 , SFW9530TM .

History: RU40L60M | SWUI6N70DA

 

 
Back to Top

 


 
.