IRFSZ45 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IRFSZ45

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 40 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 35 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.035 Ohm

Encapsulados: TO220F

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IRFSZ45 datasheet

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IRFSZ45

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IRFSZ45

Advanced Power MOSFET FEATURES BVDSS = 60 V Avalanche Rugged Technology RDS(on) = 0.024 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input Capacitance ID = 30 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area 175 Operating Temperature Lower Leakage Current 10 A (Max.) @ VDS = 60V Lower RDS(ON) 0.020 (Typ.) 1 2 3 1.Gate 2. Drain 3. Source Absolute Maximum Ratings Symbol C

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IRFSZ45

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IRFSZ45

Advanced Power MOSFET FEATURES BVDSS = 60 V Avalanche Rugged Technology RDS(on) = 0.07 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input Capacitance ID = 14 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area 175 Operating Temperature Lower Leakage Current 10 A (Max.) @ VDS = 60V Lower RDS(ON) 0.050 (Typ.) 1 2 3 1.Gate 2. Drain 3. Source Absolute Maximum Ratings Symbol Ch

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