IRFSZ45 Todos los transistores

 

IRFSZ45 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IRFSZ45
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 40 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 35 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.035 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220F
 

 Búsqueda de reemplazo de IRFSZ45 MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

IRFSZ45 Datasheet (PDF)

 8.1. Size:42K  1
 irfsz20 irfsz24 irfsz30 irfsz34 irfsz40 irfsz44.pdf pdf_icon

IRFSZ45

 8.2. Size:1018K  samsung
 irfsz44a.pdf pdf_icon

IRFSZ45

Advanced Power MOSFETFEATURESBVDSS = 60 V Avalanche Rugged TechnologyRDS(on) = 0.024 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input CapacitanceID = 30 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area 175 Operating Temperature Lower Leakage Current : 10 A (Max.) @ VDS = 60V Lower RDS(ON) : 0.020 (Typ.)1231.Gate 2. Drain 3. SourceAbsolute Maximum RatingsSymbol C

 9.1. Size:280K  1
 irfsz14a.pdf pdf_icon

IRFSZ45

 9.2. Size:1006K  samsung
 irfsz24a.pdf pdf_icon

IRFSZ45

Advanced Power MOSFETFEATURESBVDSS = 60 V Avalanche Rugged TechnologyRDS(on) = 0.07 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input CapacitanceID = 14 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area 175 Operating Temperature Lower Leakage Current : 10 A (Max.) @ VDS = 60V Lower RDS(ON) : 0.050 (Typ.)1231.Gate 2. Drain 3. SourceAbsolute Maximum RatingsSymbol Ch

MOSTRAR MÁS

Otros transistores... IRFSZ32 , IRFSZ34 , IRFSZ34A , IRFSZ35 , IRFSZ40 , IRFSZ42 , IRFSZ44 , IRFSZ44A , IRFP250 , IRFU010 , IRFU012 , IRFU014 , IRFU014A , IRFU015 , IRFU020 , IRFU022 , IRFU024A .

History: SVSP11N65SD2TR | AO3487 | AP70L02GJ | HM6602 | SVSP11N65KD2 | HSU0026 | JMPL0648AK

 

 
Back to Top

 


 
.