Справочник MOSFET. IRFSZ45

 

IRFSZ45 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IRFSZ45
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 40 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 35 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.035 Ohm
   Тип корпуса: TO220F
 

 Аналог (замена) для IRFSZ45

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRFSZ45 Datasheet (PDF)

 8.1. Size:42K  1
 irfsz20 irfsz24 irfsz30 irfsz34 irfsz40 irfsz44.pdf pdf_icon

IRFSZ45

 8.2. Size:1018K  samsung
 irfsz44a.pdf pdf_icon

IRFSZ45

Advanced Power MOSFETFEATURESBVDSS = 60 V Avalanche Rugged TechnologyRDS(on) = 0.024 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input CapacitanceID = 30 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area 175 Operating Temperature Lower Leakage Current : 10 A (Max.) @ VDS = 60V Lower RDS(ON) : 0.020 (Typ.)1231.Gate 2. Drain 3. SourceAbsolute Maximum RatingsSymbol C

 9.1. Size:280K  1
 irfsz14a.pdf pdf_icon

IRFSZ45

 9.2. Size:1006K  samsung
 irfsz24a.pdf pdf_icon

IRFSZ45

Advanced Power MOSFETFEATURESBVDSS = 60 V Avalanche Rugged TechnologyRDS(on) = 0.07 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input CapacitanceID = 14 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area 175 Operating Temperature Lower Leakage Current : 10 A (Max.) @ VDS = 60V Lower RDS(ON) : 0.050 (Typ.)1231.Gate 2. Drain 3. SourceAbsolute Maximum RatingsSymbol Ch

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IRFSZ32 , IRFSZ34 , IRFSZ34A , IRFSZ35 , IRFSZ40 , IRFSZ42 , IRFSZ44 , IRFSZ44A , IRFP250 , IRFU010 , IRFU012 , IRFU014 , IRFU014A , IRFU015 , IRFU020 , IRFU022 , IRFU024A .

History: RSD200N10TL | SI4401BDY | CJP05N60 | YJD80N03A | SI2341 | HTM200P03 | AO3415

 

 
Back to Top

 


 
.