SQM18N33-160H Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SQM18N33-160H  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 375 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 330 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 31 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 35 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 140 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.16 Ohm

Encapsulados: TO-263

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SQM18N33-160H datasheet

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SQM18N33-160H

SQM18N33-160H www.vishay.com Vishay Siliconix Automotive N-Channel 330 V (D-S) 175 C MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) 330 Package with Low Thermal Resistance RDS(on) ( ) at VGS = 10 V 0.160 AEC-Q101 Qualified ID (A) 31 100 % Rg and UIS Tested Configuration Single Material categorization For definitions of compliance plea

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