SQM18N33-160H datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SQM18N33-160H  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 375 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 330 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 31 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 35 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 140 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.16 Ohm

Тип корпуса: TO-263

Аналог (замена) для SQM18N33-160H

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SQM18N33-160H даташит

 ..1. Size:170K  vishay
 sqm18n33-160h.pdf pdf_icon

SQM18N33-160H

SQM18N33-160H www.vishay.com Vishay Siliconix Automotive N-Channel 330 V (D-S) 175 C MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) 330 Package with Low Thermal Resistance RDS(on) ( ) at VGS = 10 V 0.160 AEC-Q101 Qualified ID (A) 31 100 % Rg and UIS Tested Configuration Single Material categorization For definitions of compliance plea

Другие IGBT... SQM120N06-04L, SQM120N06-06, SQM120N06-3M5L, SQM120N08-05, SQM120N10-09, SQM120N10-3M8, SQM120P04-04L, SQM120P06-07L, IRLB4132, SQM200N04-1M1L, SQM200N04-1M7L, SQM200N04-1M8, SQM25N15-52, SQM35N30-97, SQM40N10-30, SQM40N15-38, SQM40P10-40L