Справочник MOSFET. SQM18N33-160H

 

SQM18N33-160H Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SQM18N33-160H
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 375 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 330 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 31 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 35 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 140 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.16 Ohm
   Тип корпуса: TO-263
 

 Аналог (замена) для SQM18N33-160H

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SQM18N33-160H Datasheet (PDF)

 ..1. Size:170K  vishay
 sqm18n33-160h.pdf pdf_icon

SQM18N33-160H

SQM18N33-160Hwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive N-Channel 330 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) 330 Package with Low Thermal ResistanceRDS(on) () at VGS = 10 V 0.160 AEC-Q101 QualifiedID (A) 31 100 % Rg and UIS TestedConfiguration Single Material categorization:For definitions of compliance plea

Другие MOSFET... SQM120N06-04L , SQM120N06-06 , SQM120N06-3M5L , SQM120N08-05 , SQM120N10-09 , SQM120N10-3M8 , SQM120P04-04L , SQM120P06-07L , 5N60 , SQM200N04-1M1L , SQM200N04-1M7L , SQM200N04-1M8 , SQM25N15-52 , SQM35N30-97 , SQM40N10-30 , SQM40N15-38 , SQM40P10-40L .

History: 2SK1030A | AP70WN2K8H | STF13N95K3 | MPSD70M600B | KPA1792 | IXTT30N50P | SM4496PRL

 

 
Back to Top

 


 
.