Справочник MOSFET. SQM18N33-160H

 

SQM18N33-160H Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SQM18N33-160H
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 375 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 330 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 31 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 35 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 140 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.16 Ohm
   Тип корпуса: TO-263
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

SQM18N33-160H Datasheet (PDF)

 ..1. Size:170K  vishay
 sqm18n33-160h.pdf pdf_icon

SQM18N33-160H

SQM18N33-160Hwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive N-Channel 330 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) 330 Package with Low Thermal ResistanceRDS(on) () at VGS = 10 V 0.160 AEC-Q101 QualifiedID (A) 31 100 % Rg and UIS TestedConfiguration Single Material categorization:For definitions of compliance plea

Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

History: SLU70R600S2 | NCEP020N85D | STP26N60M2 | SM4496PRL | UPA1763G | PTF2N65 | IRLR7833PBF

 

 
Back to Top

 


 
.