SQM25N15-52 Todos los transistores

 

SQM25N15-52 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SQM25N15-52
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 107 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 150 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 25 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 11 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 215 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.052 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-263
 

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SQM25N15-52 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:170K  vishay
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SQM25N15-52

SQM25N15-52www.vishay.comVishay SiliconixAutomotive N-Channel 150 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) 150 Package with Low Thermal ResistanceRDS(on) () at VGS = 10 V 0.052 100 % Rg and UIS TestedID (A) 25 AEC-Q101 QualifieddConfiguration Single Material categorization:For definitions of compliance pleas

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History: H05N60F | SSM3K04FE | NCE80T560F | IPD70R600P7S | ME45N03T-G | SI4466DY | IRFZ48NLPBF

 

 
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