SQM25N15-52 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SQM25N15-52
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 107 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 150 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 25 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 11 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 215 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.052 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-263
Búsqueda de reemplazo de SQM25N15-52 MOSFET
SQM25N15-52 Datasheet (PDF)
sqm25n15-52.pdf

SQM25N15-52www.vishay.comVishay SiliconixAutomotive N-Channel 150 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) 150 Package with Low Thermal ResistanceRDS(on) () at VGS = 10 V 0.052 100 % Rg and UIS TestedID (A) 25 AEC-Q101 QualifieddConfiguration Single Material categorization:For definitions of compliance pleas
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History: 2P524A9 | NTMFS5C442NLT | RU3030M3 | HFS10N80 | NDP410AE | STE336S | NTR4502PT1G
History: 2P524A9 | NTMFS5C442NLT | RU3030M3 | HFS10N80 | NDP410AE | STE336S | NTR4502PT1G



Liste
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