SQM25N15-52 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: SQM25N15-52
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 107 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 150 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 25 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 11 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 215 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.052 Ohm
Тип корпуса: TO-263
Аналог (замена) для SQM25N15-52
SQM25N15-52 Datasheet (PDF)
sqm25n15-52.pdf

SQM25N15-52www.vishay.comVishay SiliconixAutomotive N-Channel 150 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) 150 Package with Low Thermal ResistanceRDS(on) () at VGS = 10 V 0.052 100 % Rg and UIS TestedID (A) 25 AEC-Q101 QualifieddConfiguration Single Material categorization:For definitions of compliance pleas
Другие MOSFET... SQM120N10-09 , SQM120N10-3M8 , SQM120P04-04L , SQM120P06-07L , SQM18N33-160H , SQM200N04-1M1L , SQM200N04-1M7L , SQM200N04-1M8 , AON7410 , SQM35N30-97 , SQM40N10-30 , SQM40N15-38 , SQM40P10-40L , SQM47N10-24L , SQM50020EL , SQM50N04-4M0L , SQM50N04-4M1 .
History: 2SK2020-01 | KRF7301 | AOD422 | VBA3316 | IRFR9010TR | 2N65L-TM3-T | AP9922GEO
History: 2SK2020-01 | KRF7301 | AOD422 | VBA3316 | IRFR9010TR | 2N65L-TM3-T | AP9922GEO



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP20G03GD | AP200N15TLG1 | AP200N15MP | AP200N10MP | AP200N04TLG5 | AP200N04NF | AP1N10I | AP18P20P | AP18N03D | AP180N10MP | AP180N04NF | AP180N03D | AP16P02S | AP16P01BF | AP15P10D | AP15P06DF
Popular searches
2sc1885 datasheet | 2sc2580 | 2sc710 | 2sc968 | 2sd217 | bdw93c equivalent | cs7n60f | d613 transistor