SQM35N30-97 Todos los transistores

 

SQM35N30-97 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SQM35N30-97
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 375 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 300 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 35 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 40 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 320 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.097 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-263
     - Selección de transistores por parámetros

 

SQM35N30-97 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:227K  vishay
 sqm35n30-97.pdf pdf_icon

SQM35N30-97

SQM35N30-97www.vishay.comVishay SiliconixAutomotive N-Channel 300 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFETVDS (V) 300 Package with low thermal resistanceRDS(on) () at VGS = 10 V 0.097 AEC-Q101 qualified dID (A) 35 100 % Rg and UIS testedConfiguration Single Material categorization: Package TO-263for definitions of co

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History: P5N50C | FDMS3660AS | S68N08ZRN | SFG10S10PF | UT20N03 | FMH47N60S1 | WPM4801

 

 
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