SQM35N30-97 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SQM35N30-97  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 375 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 300 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 35 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 40 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 320 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.097 Ohm

Encapsulados: TO-263

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SQM35N30-97 datasheet

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SQM35N30-97

SQM35N30-97 www.vishay.com Vishay Siliconix Automotive N-Channel 300 V (D-S) 175 C MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFET VDS (V) 300 Package with low thermal resistance RDS(on) ( ) at VGS = 10 V 0.097 AEC-Q101 qualified d ID (A) 35 100 % Rg and UIS tested Configuration Single Material categorization Package TO-263 for definitions of co

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