SQM35N30-97 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: SQM35N30-97
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 375 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 300 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 3.5 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 35 A
Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
Общий заряд затвора (Qg): 86 nC
Время нарастания (tr): 40 ns
Выходная емкость (Cd): 320 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.097 Ohm
Тип корпуса: TO-263
Аналог (замена) для SQM35N30-97
SQM35N30-97 Datasheet (PDF)
..1. Size:227K vishay
sqm35n30-97.pdf
sqm35n30-97.pdf
SQM35N30-97www.vishay.comVishay SiliconixAutomotive N-Channel 300 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFETVDS (V) 300 Package with low thermal resistanceRDS(on) () at VGS = 10 V 0.097 AEC-Q101 qualified dID (A) 35 100 % Rg and UIS testedConfiguration Single Material categorization: Package TO-263for definitions of co
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
