Справочник MOSFET. SQM35N30-97

 

SQM35N30-97 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SQM35N30-97
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 375 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 300 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 35 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 40 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 320 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.097 Ohm
   Тип корпуса: TO-263
 

 Аналог (замена) для SQM35N30-97

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SQM35N30-97 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:227K  vishay
 sqm35n30-97.pdf pdf_icon

SQM35N30-97

SQM35N30-97www.vishay.comVishay SiliconixAutomotive N-Channel 300 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFETVDS (V) 300 Package with low thermal resistanceRDS(on) () at VGS = 10 V 0.097 AEC-Q101 qualified dID (A) 35 100 % Rg and UIS testedConfiguration Single Material categorization: Package TO-263for definitions of co

Другие MOSFET... SQM120N10-3M8 , SQM120P04-04L , SQM120P06-07L , SQM18N33-160H , SQM200N04-1M1L , SQM200N04-1M7L , SQM200N04-1M8 , SQM25N15-52 , AON7410 , SQM40N10-30 , SQM40N15-38 , SQM40P10-40L , SQM47N10-24L , SQM50020EL , SQM50N04-4M0L , SQM50N04-4M1 , SQM50N04-5M0 .

 

 
Back to Top

 


 
.