SQM35N30-97 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SQM35N30-97  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 375 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 300 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 35 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 40 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 320 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.097 Ohm

Тип корпуса: TO-263

Аналог (замена) для SQM35N30-97

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SQM35N30-97 даташит

 ..1. Size:227K  vishay
 sqm35n30-97.pdf pdf_icon

SQM35N30-97

SQM35N30-97 www.vishay.com Vishay Siliconix Automotive N-Channel 300 V (D-S) 175 C MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFET VDS (V) 300 Package with low thermal resistance RDS(on) ( ) at VGS = 10 V 0.097 AEC-Q101 qualified d ID (A) 35 100 % Rg and UIS tested Configuration Single Material categorization Package TO-263 for definitions of co

Другие IGBT... SQM120N10-3M8, SQM120P04-04L, SQM120P06-07L, SQM18N33-160H, SQM200N04-1M1L, SQM200N04-1M7L, SQM200N04-1M8, SQM25N15-52, SPP20N60C3, SQM40N10-30, SQM40N15-38, SQM40P10-40L, SQM47N10-24L, SQM50020EL, SQM50N04-4M0L, SQM50N04-4M1, SQM50N04-5M0