SQM60N20-35 Todos los transistores

 

SQM60N20-35 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SQM60N20-35
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 375 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 60 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 40 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 410 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.035 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-263
 

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SQM60N20-35 Datasheet (PDF)

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SQM60N20-35

SQM60N20-35www.vishay.comVishay SiliconixAutomotive N-Channel 200 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFETVDS (V) 200 Package with low thermal resistanceRDS(on) () at VGS = 10 V 0.035 AEC-Q101 qualified dID (A) 60 100 % Rg and UIS testedConfiguration SinglePackage TO-263 Material categorization: for definitions of co

 8.1. Size:698K  vishay
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SQM60N20-35

SQM60N06-15www.vishay.comVishay SiliconixAutomotive N-Channel 60 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) 60DefinitionRDS(on) () at VGS = 10 V 0.015 TrenchFET Power MOSFETID (A) 56 Package with Low Thermal Resistance AEC-Q101 QualifieddConfiguration Single 100 % Rg and UIS TestedD Charac

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SQM60N20-35

SQM60N06-15Vishay SiliconixAutomotiveN-Channel 60 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) 60DefinitionRDS(on) () at VGS = 10 V 0.015 TrenchFET Power MOSFETID (A) 56 Package with Low Thermal ResistanceConfiguration Single AEC-Q101 Qualifiedd Characterization OngoingD Compliant to RoHS D

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History: 5N65G | APT5010JVRU3

 

 
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