SQM60N20-35 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SQM60N20-35  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 375 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 200 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 60 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 40 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 410 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.035 Ohm

Encapsulados: TO-263

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SQM60N20-35 datasheet

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SQM60N20-35

SQM60N20-35 www.vishay.com Vishay Siliconix Automotive N-Channel 200 V (D-S) 175 C MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFET VDS (V) 200 Package with low thermal resistance RDS(on) ( ) at VGS = 10 V 0.035 AEC-Q101 qualified d ID (A) 60 100 % Rg and UIS tested Configuration Single Package TO-263 Material categorization for definitions of co

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SQM60N20-35

SQM60N06-15 www.vishay.com Vishay Siliconix Automotive N-Channel 60 V (D-S) 175 C MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) 60 Definition RDS(on) ( ) at VGS = 10 V 0.015 TrenchFET Power MOSFET ID (A) 56 Package with Low Thermal Resistance AEC-Q101 Qualifiedd Configuration Single 100 % Rg and UIS Tested D Charac

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SQM60N20-35

SQM60N06-15 Vishay Siliconix Automotive N-Channel 60 V (D-S) 175 C MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) 60 Definition RDS(on) ( ) at VGS = 10 V 0.015 TrenchFET Power MOSFET ID (A) 56 Package with Low Thermal Resistance Configuration Single AEC-Q101 Qualifiedd Characterization Ongoing D Compliant to RoHS D

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