SQM60N20-35 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: SQM60N20-35
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 375 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 200 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 3.5 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 60 A
Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
Общий заряд затвора (Qg): 90 nC
Время нарастания (tr): 40 ns
Выходная емкость (Cd): 410 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.035 Ohm
Тип корпуса: TO-263
Аналог (замена) для SQM60N20-35
SQM60N20-35 Datasheet (PDF)
sqm60n20-35.pdf
SQM60N20-35www.vishay.comVishay SiliconixAutomotive N-Channel 200 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFETVDS (V) 200 Package with low thermal resistanceRDS(on) () at VGS = 10 V 0.035 AEC-Q101 qualified dID (A) 60 100 % Rg and UIS testedConfiguration SinglePackage TO-263 Material categorization: for definitions of co
sqm60n06-15.pdf
SQM60N06-15www.vishay.comVishay SiliconixAutomotive N-Channel 60 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) 60DefinitionRDS(on) () at VGS = 10 V 0.015 TrenchFET Power MOSFETID (A) 56 Package with Low Thermal Resistance AEC-Q101 QualifieddConfiguration Single 100 % Rg and UIS TestedD Charac
sqm60n06.pdf
SQM60N06-15Vishay SiliconixAutomotiveN-Channel 60 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) 60DefinitionRDS(on) () at VGS = 10 V 0.015 TrenchFET Power MOSFETID (A) 56 Package with Low Thermal ResistanceConfiguration Single AEC-Q101 Qualifiedd Characterization OngoingD Compliant to RoHS D
Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRF540N , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .
