SQP100P06-9M3L Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SQP100P06-9M3L  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 187 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 100 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1030 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0093 Ohm

Encapsulados: TO-220AB

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SQP100P06-9M3L datasheet

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SQP100P06-9M3L

SQP100P06-9m3L www.vishay.com Vishay Siliconix Automotive P-Channel 60 V (D-S) 175 C MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFET VDS (V) -60 Package with low thermal resistance RDS(on) ( ) at VGS = -10 V 0.0093 AEC-Q101 qualified d RDS(on) ( ) at VGS = -4.5 V 0.0133 100 % Rg and UIS tested ID (A) -100 Material categorization Configuration Sin

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