SQP100P06-9M3L Todos los transistores

 

SQP100P06-9M3L MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SQP100P06-9M3L
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 187 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 100 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1030 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0093 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220AB
 

 Búsqueda de reemplazo de SQP100P06-9M3L MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

SQP100P06-9M3L Datasheet (PDF)

 ..1. Size:157K  vishay
 sqp100p06-9m3l.pdf pdf_icon

SQP100P06-9M3L

SQP100P06-9m3Lwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive P-Channel 60 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFETVDS (V) -60 Package with low thermal resistanceRDS(on) () at VGS = -10 V 0.0093 AEC-Q101 qualified dRDS(on) () at VGS = -4.5 V 0.0133 100 % Rg and UIS testedID (A) -100 Material categorization:Configuration Sin

Otros transistores... SQM50P04-09L , SQM50P06-15L , SQM50P08-25L , SQM60N06-15 , SQM60N20-35 , SQM85N03-06P , SQM85N10-10 , SQM85N15-19 , 18N50 , SQP120N06-06 , SQP120N10-09 , SQP120N10-3M8 , SQP50N06-09L , SQP50P03-07 , SQP60N06-15 , SQP90P06-07L , SQR40N10-25 .

History: FQA13N80-F109 | HFU630 | AOCA32112E

 

 
Back to Top

 


 
.