SQP100P06-9M3L Todos los transistores

 

SQP100P06-9M3L MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SQP100P06-9M3L

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 187 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 60 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V

Corriente continua de drenaje (Id): 100 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 2.5 V

Carga de compuerta (Qg): 198 nC

Tiempo de elevación (tr): 12 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 1030 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.0093 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO-220AB

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SQP100P06-9M3L Datasheet (PDF)

1.1. sqp100p06-9m3l.pdf Size:157K _upd-mosfet

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SQP100P06-9m3L www.vishay.com Vishay Siliconix Automotive P-Channel 60 V (D-S) 175 °C MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY • TrenchFET® power MOSFET VDS (V) -60 • Package with low thermal resistance RDS(on) (Ω) at VGS = -10 V 0.0093 • AEC-Q101 qualified d RDS(on) (Ω) at VGS = -4.5 V 0.0133 • 100 % Rg and UIS tested ID (A) -100 • Material categorization: Configuration Sin

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