Справочник MOSFET. SQP100P06-9M3L

 

SQP100P06-9M3L Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SQP100P06-9M3L
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 187 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 100 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1030 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0093 Ohm
   Тип корпуса: TO-220AB
 

 Аналог (замена) для SQP100P06-9M3L

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SQP100P06-9M3L Datasheet (PDF)

 ..1. Size:157K  vishay
 sqp100p06-9m3l.pdf pdf_icon

SQP100P06-9M3L

SQP100P06-9m3Lwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive P-Channel 60 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFETVDS (V) -60 Package with low thermal resistanceRDS(on) () at VGS = -10 V 0.0093 AEC-Q101 qualified dRDS(on) () at VGS = -4.5 V 0.0133 100 % Rg and UIS testedID (A) -100 Material categorization:Configuration Sin

Другие MOSFET... SQM50P04-09L , SQM50P06-15L , SQM50P08-25L , SQM60N06-15 , SQM60N20-35 , SQM85N03-06P , SQM85N10-10 , SQM85N15-19 , 18N50 , SQP120N06-06 , SQP120N10-09 , SQP120N10-3M8 , SQP50N06-09L , SQP50P03-07 , SQP60N06-15 , SQP90P06-07L , SQR40N10-25 .

History: R6020FNJ | IPA037N08N3 | MSU1N60T

 

 
Back to Top

 


 
.