Справочник MOSFET. SQP100P06-9M3L

 

SQP100P06-9M3L Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SQP100P06-9M3L
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 187 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 100 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 12 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1030 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0093 Ohm
   Тип корпуса: TO-220AB
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

SQP100P06-9M3L Datasheet (PDF)

 ..1. Size:157K  vishay
 sqp100p06-9m3l.pdf pdf_icon

SQP100P06-9M3L

SQP100P06-9m3Lwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive P-Channel 60 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFETVDS (V) -60 Package with low thermal resistanceRDS(on) () at VGS = -10 V 0.0093 AEC-Q101 qualified dRDS(on) () at VGS = -4.5 V 0.0133 100 % Rg and UIS testedID (A) -100 Material categorization:Configuration Sin

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: PHP45N03LT

 

 
Back to Top

 


 
.