SQP100P06-9M3L datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SQP100P06-9M3L  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 187 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 100 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1030 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0093 Ohm

Тип корпуса: TO-220AB

  📄📄 Копировать ⓘ

Аналог (замена) для SQP100P06-9M3L

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SQP100P06-9M3L даташит

 ..1. Size:157K  vishay
 sqp100p06-9m3l.pdf pdf_icon

SQP100P06-9M3L

SQP100P06-9m3L www.vishay.com Vishay Siliconix Automotive P-Channel 60 V (D-S) 175 C MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFET VDS (V) -60 Package with low thermal resistance RDS(on) ( ) at VGS = -10 V 0.0093 AEC-Q101 qualified d RDS(on) ( ) at VGS = -4.5 V 0.0133 100 % Rg and UIS tested ID (A) -100 Material categorization Configuration Sin

Другие IGBT... SQM50P04-09L, SQM50P06-15L, SQM50P08-25L, SQM60N06-15, SQM60N20-35, SQM85N03-06P, SQM85N10-10, SQM85N15-19, BS170, SQP120N06-06, SQP120N10-09, SQP120N10-3M8, SQP50N06-09L, SQP50P03-07, SQP60N06-15, SQP90P06-07L, SQR40N10-25