SQP120N10-3M8 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SQP120N10-3M8  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 250 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 120 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 110 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 3070 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0038 Ohm

Encapsulados: TO-220

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SQP120N10-3M8 datasheet

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SQP120N10-3M8

SQP120N10-3m8 www.vishay.com Vishay Siliconix Automotive N-Channel 100 V (D-S) 175 C MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) 100 Package with Low Thermal Resistance RDS(on) ( ) at VGS = 10 V 0.0038 AEC-Q101 Qualifiedd ID (A) 120 100 % Rg and UIS Tested Configuration Single Material categorization D TO-220 For definitions of comp

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SQP120N10-09 www.vishay.com Vishay Siliconix Automotive N-Channel 100 V (D-S) 175 C MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFET VDS (V) 100 Package with low thermal resistance RDS(on) ( ) at VGS = 10 V 0.0095 AEC-Q101 qualified d ID (A) 120 100 % Rg and UIS tested Configuration Single Material categorization Package TO-220 for definitions of

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SQP120N10-3M8

SQP120N06-06 www.vishay.com Vishay Siliconix Automotive N-Channel 60 V (D-S) 175 C MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFET VDS (V) 60 Package with low thermal resistance RDS(on) ( ) at VGS = 10 V 0.006 AEC-Q101 qualified d ID (A) 119 100 % Rg and UIS tested Configuration Single Package TO-220 Material categorization for definitions of co

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