SQP120N10-3M8 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: SQP120N10-3M8
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 250 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 120 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 110 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 3070 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0038 Ohm
Тип корпуса: TO-220
Аналог (замена) для SQP120N10-3M8
SQP120N10-3M8 Datasheet (PDF)
sqp120n10-3m8.pdf

SQP120N10-3m8www.vishay.comVishay SiliconixAutomotive N-Channel 100 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) 100 Package with Low Thermal ResistanceRDS(on) () at VGS = 10 V 0.0038 AEC-Q101 QualifieddID (A) 120 100 % Rg and UIS TestedConfiguration Single Material categorization:DTO-220For definitions of comp
sqp120n10-09.pdf

SQP120N10-09www.vishay.comVishay SiliconixAutomotive N-Channel 100 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFETVDS (V) 100 Package with low thermal resistanceRDS(on) () at VGS = 10 V 0.0095 AEC-Q101 qualified dID (A) 120 100 % Rg and UIS testedConfiguration Single Material categorization:Package TO-220for definitions of
sqp120n06-06.pdf

SQP120N06-06www.vishay.comVishay SiliconixAutomotive N-Channel 60 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFETVDS (V) 60 Package with low thermal resistanceRDS(on) () at VGS = 10 V 0.006 AEC-Q101 qualified dID (A) 119 100 % Rg and UIS testedConfiguration SinglePackage TO-220 Material categorization: for definitions of co
Другие MOSFET... SQM60N06-15 , SQM60N20-35 , SQM85N03-06P , SQM85N10-10 , SQM85N15-19 , SQP100P06-9M3L , SQP120N06-06 , SQP120N10-09 , RFP50N06 , SQP50N06-09L , SQP50P03-07 , SQP60N06-15 , SQP90P06-07L , SQR40N10-25 , SQR50N03-06P , SQR50N04-3M8 , SQR50N06-07L .
History: STD130N4F6AG | SPB100N06S2-05 | LSS65R1K5HT | 4N60KG-TMS2-T | ALD1106SBL | R6030ENZ1 | 2SJ550L
History: STD130N4F6AG | SPB100N06S2-05 | LSS65R1K5HT | 4N60KG-TMS2-T | ALD1106SBL | R6030ENZ1 | 2SJ550L



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP20G03GD | AP200N15TLG1 | AP200N15MP | AP200N10MP | AP200N04TLG5 | AP200N04NF | AP1N10I | AP18P20P | AP18N03D | AP180N10MP | AP180N04NF | AP180N03D | AP16P02S | AP16P01BF | AP15P10D | AP15P06DF
Popular searches
a1016 transistor | a1693 transistor | a933 datasheet | c535 transistor | irf3205 reemplazo | mpsu06 | кт630 | 2g381 transistor