SQR40N10-25 Todos los transistores

 

SQR40N10-25 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SQR40N10-25
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 136 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 40 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 11 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 312 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.025 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-252
     - Selección de transistores por parámetros

 

SQR40N10-25 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:141K  vishay
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SQR40N10-25

SQR40N10-25www.vishay.comVishay SiliconixAutomotive N-Channel 100 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURES TrenchFET Power MOSFETPRODUCT SUMMARY Package with Low Thermal ResistanceVDS (V) 100 100 % Rg and UIS TestedRDS(on) () at VGS = 10 V 0.025 AEC-Q101 QualifiedRDS(on) () at VGS = 4.5 V 0.029 Material categorization:ID (A) 40For definitions of com

Otros transistores... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

History: STP4NA80FI | 2N7064 | FQD5N15TF | IXFK48N50Q | IXFR80N60P3 | APT6025BVR | AON7400

 

 
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