SQR40N10-25 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SQR40N10-25  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 136 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 40 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 11 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 312 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.025 Ohm

Encapsulados: TO-252

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SQR40N10-25 datasheet

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SQR40N10-25

SQR40N10-25 www.vishay.com Vishay Siliconix Automotive N-Channel 100 V (D-S) 175 C MOSFET FEATURES TrenchFET Power MOSFET PRODUCT SUMMARY Package with Low Thermal Resistance VDS (V) 100 100 % Rg and UIS Tested RDS(on) ( ) at VGS = 10 V 0.025 AEC-Q101 Qualified RDS(on) ( ) at VGS = 4.5 V 0.029 Material categorization ID (A) 40 For definitions of com

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