SQR40N10-25 Todos los transistores

 

SQR40N10-25 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SQR40N10-25
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 136 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 40 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 11 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 312 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.025 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-252
 

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SQR40N10-25 Datasheet (PDF)

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SQR40N10-25

SQR40N10-25www.vishay.comVishay SiliconixAutomotive N-Channel 100 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURES TrenchFET Power MOSFETPRODUCT SUMMARY Package with Low Thermal ResistanceVDS (V) 100 100 % Rg and UIS TestedRDS(on) () at VGS = 10 V 0.025 AEC-Q101 QualifiedRDS(on) () at VGS = 4.5 V 0.029 Material categorization:ID (A) 40For definitions of com

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History: FCPF600N65S3R0L | IRFS3307Z | IRLML0030TRPBF | FDMS039N08B | 4N90G-TN3-R | 3N60G | IRLR8715CPBF

 

 
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