SQR40N10-25 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SQR40N10-25  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 136 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 40 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 11 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 312 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.025 Ohm

Тип корпуса: TO-252

  📄📄 Копировать ⓘ

Аналог (замена) для SQR40N10-25

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SQR40N10-25 даташит

 ..1. Size:141K  vishay
 sqr40n10-25.pdf pdf_icon

SQR40N10-25

SQR40N10-25 www.vishay.com Vishay Siliconix Automotive N-Channel 100 V (D-S) 175 C MOSFET FEATURES TrenchFET Power MOSFET PRODUCT SUMMARY Package with Low Thermal Resistance VDS (V) 100 100 % Rg and UIS Tested RDS(on) ( ) at VGS = 10 V 0.025 AEC-Q101 Qualified RDS(on) ( ) at VGS = 4.5 V 0.029 Material categorization ID (A) 40 For definitions of com

Другие IGBT... SQP100P06-9M3L, SQP120N06-06, SQP120N10-09, SQP120N10-3M8, SQP50N06-09L, SQP50P03-07, SQP60N06-15, SQP90P06-07L, SI2302, SQR50N03-06P, SQR50N04-3M8, SQR50N06-07L, SSF22A5E, SSF2418B, SSF2418EBK, SSF2439E, SSF2641S