Справочник MOSFET. SQR40N10-25

 

SQR40N10-25 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SQR40N10-25
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 136 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 40 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 11 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 312 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.025 Ohm
   Тип корпуса: TO-252
 

 Аналог (замена) для SQR40N10-25

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SQR40N10-25 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:141K  vishay
 sqr40n10-25.pdf pdf_icon

SQR40N10-25

SQR40N10-25www.vishay.comVishay SiliconixAutomotive N-Channel 100 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURES TrenchFET Power MOSFETPRODUCT SUMMARY Package with Low Thermal ResistanceVDS (V) 100 100 % Rg and UIS TestedRDS(on) () at VGS = 10 V 0.025 AEC-Q101 QualifiedRDS(on) () at VGS = 4.5 V 0.029 Material categorization:ID (A) 40For definitions of com

Другие MOSFET... SQP100P06-9M3L , SQP120N06-06 , SQP120N10-09 , SQP120N10-3M8 , SQP50N06-09L , SQP50P03-07 , SQP60N06-15 , SQP90P06-07L , IRFZ46N , SQR50N03-06P , SQR50N04-3M8 , SQR50N06-07L , SSF22A5E , SSF2418B , SSF2418EBK , SSF2439E , SSF2641S .

History: SFG08S10BF | R6004JNJ | IRFS3307Z | HUFA76419D3S | HM4410B | WFF8N65L | IPD400N06N

 

 
Back to Top

 


 
.