Справочник MOSFET. SQR40N10-25

 

SQR40N10-25 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: SQR40N10-25
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 136 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 40 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 46 nC
   trⓘ - Время нарастания: 11 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 312 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.025 Ohm
   Тип корпуса: TO-252

 Аналог (замена) для SQR40N10-25

 

 

SQR40N10-25 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:141K  vishay
 sqr40n10-25.pdf

SQR40N10-25 SQR40N10-25

SQR40N10-25www.vishay.comVishay SiliconixAutomotive N-Channel 100 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURES TrenchFET Power MOSFETPRODUCT SUMMARY Package with Low Thermal ResistanceVDS (V) 100 100 % Rg and UIS TestedRDS(on) () at VGS = 10 V 0.025 AEC-Q101 QualifiedRDS(on) () at VGS = 4.5 V 0.029 Material categorization:ID (A) 40For definitions of com

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top