TJ150F04M3L Todos los transistores

 

TJ150F04M3L MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: TJ150F04M3L
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 300 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 10 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 150 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 2350 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0028 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220SM
 

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TJ150F04M3L Datasheet (PDF)

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TJ150F04M3L

TJ150F04M3LMOSFETs Silicon P-Channel MOS (U-MOS)TJ150F04M3LTJ150F04M3LTJ150F04M3LTJ150F04M3L1. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Automotive Relay Drivers DC-DC Converters Motor Drivers2. Features2. Features2. Features2. Features(1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 2.2 m (typ.) (VGS = -10 V)(2) Low leakage c

 7.1. Size:284K  toshiba
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TJ150F04M3L

TJ150F06M3LMOSFETs Silicon P-Channel MOS (U-MOS)TJ150F06M3LTJ150F06M3LTJ150F06M3LTJ150F06M3L1. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Automotive Relay Drivers Motor Drivers2. Features2. Features2. Features2. Features(1) AEC-Q101 qualified(2) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 4.3 m (typ.) (VGS = -10 V)(3) Low leakage

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History: BUZ31LH | WVM40N20 | IRL8113LPBF | MS18N50 | VS3603GPMT | 2SK2316 | HY3410PM

 

 
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