TJ150F04M3L datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: TJ150F04M3L  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 10 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 150 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 2350 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0028 Ohm

Тип корпуса: TO-220SM

  📄📄 Копировать ⓘ

Аналог (замена) для TJ150F04M3L

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TJ150F04M3L даташит

 ..1. Size:275K  toshiba
 tj150f04m3l.pdf pdf_icon

TJ150F04M3L

TJ150F04M3L MOSFETs Silicon P-Channel MOS (U-MOS ) TJ150F04M3L TJ150F04M3L TJ150F04M3L TJ150F04M3L 1. Applications 1. Applications 1. Applications 1. Applications Automotive Relay Drivers DC-DC Converters Motor Drivers 2. Features 2. Features 2. Features 2. Features (1) Low drain-source on-resistance RDS(ON) = 2.2 m (typ.) (VGS = -10 V) (2) Low leakage c

 7.1. Size:284K  toshiba
 tj150f06m3l.pdf pdf_icon

TJ150F04M3L

TJ150F06M3L MOSFETs Silicon P-Channel MOS (U-MOS ) TJ150F06M3L TJ150F06M3L TJ150F06M3L TJ150F06M3L 1. Applications 1. Applications 1. Applications 1. Applications Automotive Relay Drivers Motor Drivers 2. Features 2. Features 2. Features 2. Features (1) AEC-Q101 qualified (2) Low drain-source on-resistance RDS(ON) = 4.3 m (typ.) (VGS = -10 V) (3) Low leakage

Другие IGBT... SSF440M, SSF450M, SSF5508D, SSF5510G, SSF6010G, SSF7008, TJ100F04M3L, TJ100F06M3L, IRF9640, TJ15S10M3, TJ200F04M3L, TJ9A10M3, TK100A06N1, TK100A08N1, TK100A10N1, TK100E06N1, TK100E08N1