Справочник MOSFET. TJ150F04M3L

 

TJ150F04M3L Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: TJ150F04M3L
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 10 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 150 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 2350 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0028 Ohm
   Тип корпуса: TO-220SM
 

 Аналог (замена) для TJ150F04M3L

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TJ150F04M3L Datasheet (PDF)

 ..1. Size:275K  toshiba
 tj150f04m3l.pdf pdf_icon

TJ150F04M3L

TJ150F04M3LMOSFETs Silicon P-Channel MOS (U-MOS)TJ150F04M3LTJ150F04M3LTJ150F04M3LTJ150F04M3L1. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Automotive Relay Drivers DC-DC Converters Motor Drivers2. Features2. Features2. Features2. Features(1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 2.2 m (typ.) (VGS = -10 V)(2) Low leakage c

 7.1. Size:284K  toshiba
 tj150f06m3l.pdf pdf_icon

TJ150F04M3L

TJ150F06M3LMOSFETs Silicon P-Channel MOS (U-MOS)TJ150F06M3LTJ150F06M3LTJ150F06M3LTJ150F06M3L1. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Automotive Relay Drivers Motor Drivers2. Features2. Features2. Features2. Features(1) AEC-Q101 qualified(2) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 4.3 m (typ.) (VGS = -10 V)(3) Low leakage

Другие MOSFET... SSF440M , SSF450M , SSF5508D , SSF5510G , SSF6010G , SSF7008 , TJ100F04M3L , TJ100F06M3L , AON7403 , TJ15S10M3 , TJ200F04M3L , TJ9A10M3 , TK100A06N1 , TK100A08N1 , TK100A10N1 , TK100E06N1 , TK100E08N1 .

History: SI4914DY | SI4925BDY | MTE130N20J3 | IRF543FI | WML13N80M3 | SSW20N60S

 

 
Back to Top

 


 
.