TJ15S10M3 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: TJ15S10M3
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 75 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 10 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 15 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 190 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.13 Ohm
   Paquete / Cubierta: DPAK

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TJ15S10M3 Datasheet (PDF)

..1. Size:232K toshiba
tj15s10m3.pdf

TJ15S10M3MOSFETs Silicon P-Channel MOS (U-MOS)TJ15S10M3TJ15S10M3TJ15S10M3TJ15S10M31. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Automotive Switching Voltage Regulators Motor Drivers2. Features2. Features2. Features2. Features(1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 100 m (typ.) (VGS = -10 V)(2) Low leakage current: IDSS = -1

9.1. Size:243K toshiba
tj15s06m3l.pdf

TJ15S06M3LMOSFETs Silicon P-Channel MOS (U-MOS)TJ15S06M3LTJ15S06M3LTJ15S06M3LTJ15S06M3L1. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Motor Drivers DC-DC Converters Switching Voltage Regulators2. Features2. Features2. Features2. Features(1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 38.5 m (typ.) (VGS = -10 V)(2) Low leakage curren

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