TJ15S10M3 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: TJ15S10M3  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 75 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 10 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 15 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 190 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.13 Ohm

Encapsulados: DPAK

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TJ15S10M3 datasheet

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TJ15S10M3

TJ15S10M3 MOSFETs Silicon P-Channel MOS (U-MOS ) TJ15S10M3 TJ15S10M3 TJ15S10M3 TJ15S10M3 1. Applications 1. Applications 1. Applications 1. Applications Automotive Switching Voltage Regulators Motor Drivers 2. Features 2. Features 2. Features 2. Features (1) Low drain-source on-resistance RDS(ON) = 100 m (typ.) (VGS = -10 V) (2) Low leakage current IDSS = -1

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TJ15S10M3

TJ15S06M3L MOSFETs Silicon P-Channel MOS (U-MOS ) TJ15S06M3L TJ15S06M3L TJ15S06M3L TJ15S06M3L 1. Applications 1. Applications 1. Applications 1. Applications Motor Drivers DC-DC Converters Switching Voltage Regulators 2. Features 2. Features 2. Features 2. Features (1) Low drain-source on-resistance RDS(ON) = 38.5 m (typ.) (VGS = -10 V) (2) Low leakage curren

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