TJ15S10M3 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: TJ15S10M3  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 75 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 10 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 190 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.13 Ohm

Тип корпуса: DPAK

  📄📄 Копировать ⓘ

Аналог (замена) для TJ15S10M3

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TJ15S10M3 даташит

 ..1. Size:232K  toshiba
 tj15s10m3.pdf pdf_icon

TJ15S10M3

TJ15S10M3 MOSFETs Silicon P-Channel MOS (U-MOS ) TJ15S10M3 TJ15S10M3 TJ15S10M3 TJ15S10M3 1. Applications 1. Applications 1. Applications 1. Applications Automotive Switching Voltage Regulators Motor Drivers 2. Features 2. Features 2. Features 2. Features (1) Low drain-source on-resistance RDS(ON) = 100 m (typ.) (VGS = -10 V) (2) Low leakage current IDSS = -1

 9.1. Size:243K  toshiba
 tj15s06m3l.pdf pdf_icon

TJ15S10M3

TJ15S06M3L MOSFETs Silicon P-Channel MOS (U-MOS ) TJ15S06M3L TJ15S06M3L TJ15S06M3L TJ15S06M3L 1. Applications 1. Applications 1. Applications 1. Applications Motor Drivers DC-DC Converters Switching Voltage Regulators 2. Features 2. Features 2. Features 2. Features (1) Low drain-source on-resistance RDS(ON) = 38.5 m (typ.) (VGS = -10 V) (2) Low leakage curren

Другие IGBT... SSF450M, SSF5508D, SSF5510G, SSF6010G, SSF7008, TJ100F04M3L, TJ100F06M3L, TJ150F04M3L, IRFB7545, TJ200F04M3L, TJ9A10M3, TK100A06N1, TK100A08N1, TK100A10N1, TK100E06N1, TK100E08N1, TK100E10N1