TJ200F04M3L Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: TJ200F04M3L  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 375 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 40 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 10 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 200 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 14 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 2400 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0018 Ohm

Encapsulados: TO-220SM

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TJ200F04M3L datasheet

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TJ200F04M3L

TJ200F04M3L MOSFETs Silicon P-Channel MOS (U-MOS ) TJ200F04M3L TJ200F04M3L TJ200F04M3L TJ200F04M3L 1. Applications 1. Applications 1. Applications 1. Applications Automotive DC-DC Converters Motor Drivers 2. Features 2. Features 2. Features 2. Features (1) Low drain-source on-resistance RDS(ON) = 1.45 m (typ.) (VGS = -10 V) (2) Low leakage current IDSS = -10

 9.1. Size:900K  cn hunteck
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TJ200F04M3L

HTJ200N02 P-1 20V N-Ch Power MOSFET Feature 20 V VDS High Speed Power Switching, Logic Level 18 RDS(on),typ VGS=10V m Enhanced Avalanche Ruggedness 6 A ID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen Free Application Hard Switching and High Speed Circuit Drain DC/DC in Telecoms and Inductrial SOT-23 Gate Src Part Number Pac

Otros transistores... SSF5508D, SSF5510G, SSF6010G, SSF7008, TJ100F04M3L, TJ100F06M3L, TJ150F04M3L, TJ15S10M3, AON7403, TJ9A10M3, TK100A06N1, TK100A08N1, TK100A10N1, TK100E06N1, TK100E08N1, TK100E10N1, TK100L60W