Справочник MOSFET. TJ200F04M3L

 

TJ200F04M3L MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: TJ200F04M3L
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 375 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 10 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 200 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 460 nC
   trⓘ - Время нарастания: 14 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 2400 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0018 Ohm
   Тип корпуса: TO-220SM

 Аналог (замена) для TJ200F04M3L

 

 

TJ200F04M3L Datasheet (PDF)

 ..1. Size:279K  toshiba
 tj200f04m3l.pdf

TJ200F04M3L TJ200F04M3L

TJ200F04M3LMOSFETs Silicon P-Channel MOS (U-MOS)TJ200F04M3LTJ200F04M3LTJ200F04M3LTJ200F04M3L1. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Automotive DC-DC Converters Motor Drivers2. Features2. Features2. Features2. Features(1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 1.45 m (typ.) (VGS = -10 V)(2) Low leakage current: IDSS = -10

 9.1. Size:900K  cn hunteck
 htj200n02.pdf

TJ200F04M3L TJ200F04M3L

HTJ200N02P-120V N-Ch Power MOSFETFeature20 VVDS High Speed Power Switching, Logic Level18RDS(on),typ VGS=10V m Enhanced Avalanche Ruggedness6 AID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen FreeApplication Hard Switching and High Speed Circuit Drain DC/DC in Telecoms and InductrialSOT-23GateSrcPart Number Pac

Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , AON7410 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

 

 
Back to Top