TJ200F04M3L - аналоги и даташиты транзистора

 

TJ200F04M3L - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: TJ200F04M3L
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 375 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 10 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 200 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 14 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 2400 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0018 Ohm
   Тип корпуса: TO-220SM
 

 Аналог (замена) для TJ200F04M3L

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TJ200F04M3L Datasheet (PDF)

 ..1. Size:279K  toshiba
 tj200f04m3l.pdf pdf_icon

TJ200F04M3L

TJ200F04M3LMOSFETs Silicon P-Channel MOS (U-MOS)TJ200F04M3LTJ200F04M3LTJ200F04M3LTJ200F04M3L1. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Automotive DC-DC Converters Motor Drivers2. Features2. Features2. Features2. Features(1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 1.45 m (typ.) (VGS = -10 V)(2) Low leakage current: IDSS = -10

 9.1. Size:900K  cn hunteck
 htj200n02.pdf pdf_icon

TJ200F04M3L

HTJ200N02P-120V N-Ch Power MOSFETFeature20 VVDS High Speed Power Switching, Logic Level18RDS(on),typ VGS=10V m Enhanced Avalanche Ruggedness6 AID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen FreeApplication Hard Switching and High Speed Circuit Drain DC/DC in Telecoms and InductrialSOT-23GateSrcPart Number Pac

Другие MOSFET... SSF5508D , SSF5510G , SSF6010G , SSF7008 , TJ100F04M3L , TJ100F06M3L , TJ150F04M3L , TJ15S10M3 , EMB04N03H , TJ9A10M3 , TK100A06N1 , TK100A08N1 , TK100A10N1 , TK100E06N1 , TK100E08N1 , TK100E10N1 , TK100L60W .

History: IPP052N08N5 | HM4885A | MTP23P06V | SFF440M | JCS5N60F | QM6016F | R6008FNJ

 

 
Back to Top

 


 
.