TJ200F04M3L datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: TJ200F04M3L  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 375 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 10 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 200 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 14 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 2400 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0018 Ohm

Тип корпуса: TO-220SM

  📄📄 Копировать ⓘ

Аналог (замена) для TJ200F04M3L

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TJ200F04M3L даташит

 ..1. Size:279K  toshiba
 tj200f04m3l.pdf pdf_icon

TJ200F04M3L

TJ200F04M3L MOSFETs Silicon P-Channel MOS (U-MOS ) TJ200F04M3L TJ200F04M3L TJ200F04M3L TJ200F04M3L 1. Applications 1. Applications 1. Applications 1. Applications Automotive DC-DC Converters Motor Drivers 2. Features 2. Features 2. Features 2. Features (1) Low drain-source on-resistance RDS(ON) = 1.45 m (typ.) (VGS = -10 V) (2) Low leakage current IDSS = -10

 9.1. Size:900K  cn hunteck
 htj200n02.pdf pdf_icon

TJ200F04M3L

HTJ200N02 P-1 20V N-Ch Power MOSFET Feature 20 V VDS High Speed Power Switching, Logic Level 18 RDS(on),typ VGS=10V m Enhanced Avalanche Ruggedness 6 A ID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen Free Application Hard Switching and High Speed Circuit Drain DC/DC in Telecoms and Inductrial SOT-23 Gate Src Part Number Pac

Другие IGBT... SSF5508D, SSF5510G, SSF6010G, SSF7008, TJ100F04M3L, TJ100F06M3L, TJ150F04M3L, TJ15S10M3, AON7403, TJ9A10M3, TK100A06N1, TK100A08N1, TK100A10N1, TK100E06N1, TK100E08N1, TK100E10N1, TK100L60W