TJ9A10M3 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: TJ9A10M3  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 19 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 150 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.17 Ohm

Encapsulados: TO-220SIS

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TJ9A10M3 datasheet

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TJ9A10M3

TJ9A10M3 MOSFETs Silicon P-Channel MOS (U-MOS ) TJ9A10M3 TJ9A10M3 TJ9A10M3 TJ9A10M3 1. Applications 1. Applications 1. Applications 1. Applications Switching Voltage Regulators 2. Features 2. Features 2. Features 2. Features (1) Low drain-source on-resistance RDS(ON) = 120 m (typ.) (VGS = -10 V) (2) Low leakage current IDSS = -10 A (max) (VDS = -100 V) (3) Enhancem

 ..2. Size:243K  inchange semiconductor
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TJ9A10M3

INCHANGE Semiconductor isc N-Channel MOSFET Transistor TJ9A10M3 ITJ9A10M3 FEATURES Low drain-source on-resistance RDS(on) 0.17 . (VGS = -10 V) Enhancement mode Vth = -2.0 to -4.0V (VDS = -10 V, ID=-1mA) 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRITION Switching Voltage Regulators ABSOLUTE M

Otros transistores... SSF5510G, SSF6010G, SSF7008, TJ100F04M3L, TJ100F06M3L, TJ150F04M3L, TJ15S10M3, TJ200F04M3L, K2611, TK100A06N1, TK100A08N1, TK100A10N1, TK100E06N1, TK100E08N1, TK100E10N1, TK100L60W, TK100S04N1L