TJ9A10M3 Todos los transistores

 

TJ9A10M3 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: TJ9A10M3
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 19 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 150 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.17 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220SIS
 

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TJ9A10M3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:234K  toshiba
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TJ9A10M3

TJ9A10M3MOSFETs Silicon P-Channel MOS (U-MOS)TJ9A10M3TJ9A10M3TJ9A10M3TJ9A10M31. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Switching Voltage Regulators2. Features2. Features2. Features2. Features(1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 120 m (typ.) (VGS = -10 V)(2) Low leakage current: IDSS = -10 A (max) (VDS = -100 V)(3) Enhancem

 ..2. Size:243K  inchange semiconductor
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TJ9A10M3

INCHANGE Semiconductorisc N-Channel MOSFET Transistor TJ9A10M3ITJ9A10M3FEATURESLow drain-source on-resistance:RDS(on) 0.17. (VGS = -10 V)Enhancement mode:Vth = -2.0 to -4.0V (VDS = -10 V, ID=-1mA)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONSwitching Voltage RegulatorsABSOLUTE M

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