Справочник MOSFET. TJ9A10M3

 

TJ9A10M3 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: TJ9A10M3
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 19 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 47 nC
   trⓘ - Время нарастания: 12 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 150 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.17 Ohm
   Тип корпуса: TO-220SIS

 Аналог (замена) для TJ9A10M3

 

 

TJ9A10M3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:234K  toshiba
 tj9a10m3.pdf

TJ9A10M3 TJ9A10M3

TJ9A10M3MOSFETs Silicon P-Channel MOS (U-MOS)TJ9A10M3TJ9A10M3TJ9A10M3TJ9A10M31. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Switching Voltage Regulators2. Features2. Features2. Features2. Features(1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 120 m (typ.) (VGS = -10 V)(2) Low leakage current: IDSS = -10 A (max) (VDS = -100 V)(3) Enhancem

 ..2. Size:243K  inchange semiconductor
 tj9a10m3.pdf

TJ9A10M3 TJ9A10M3

INCHANGE Semiconductorisc N-Channel MOSFET Transistor TJ9A10M3ITJ9A10M3FEATURESLow drain-source on-resistance:RDS(on) 0.17. (VGS = -10 V)Enhancement mode:Vth = -2.0 to -4.0V (VDS = -10 V, ID=-1mA)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONSwitching Voltage RegulatorsABSOLUTE M

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , RFP50N06 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top