TJ9A10M3 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: TJ9A10M3  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 19 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 150 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.17 Ohm

Тип корпуса: TO-220SIS

  📄📄 Копировать ⓘ

Аналог (замена) для TJ9A10M3

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TJ9A10M3 даташит

 ..1. Size:234K  toshiba
 tj9a10m3.pdf pdf_icon

TJ9A10M3

TJ9A10M3 MOSFETs Silicon P-Channel MOS (U-MOS ) TJ9A10M3 TJ9A10M3 TJ9A10M3 TJ9A10M3 1. Applications 1. Applications 1. Applications 1. Applications Switching Voltage Regulators 2. Features 2. Features 2. Features 2. Features (1) Low drain-source on-resistance RDS(ON) = 120 m (typ.) (VGS = -10 V) (2) Low leakage current IDSS = -10 A (max) (VDS = -100 V) (3) Enhancem

 ..2. Size:243K  inchange semiconductor
 tj9a10m3.pdf pdf_icon

TJ9A10M3

INCHANGE Semiconductor isc N-Channel MOSFET Transistor TJ9A10M3 ITJ9A10M3 FEATURES Low drain-source on-resistance RDS(on) 0.17 . (VGS = -10 V) Enhancement mode Vth = -2.0 to -4.0V (VDS = -10 V, ID=-1mA) 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRITION Switching Voltage Regulators ABSOLUTE M

Другие IGBT... SSF5510G, SSF6010G, SSF7008, TJ100F04M3L, TJ100F06M3L, TJ150F04M3L, TJ15S10M3, TJ200F04M3L, K2611, TK100A06N1, TK100A08N1, TK100A10N1, TK100E06N1, TK100E08N1, TK100E10N1, TK100L60W, TK100S04N1L