TK10J80E Todos los transistores

 

TK10J80E MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: TK10J80E
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 250 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 800 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 40 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 150 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-3P
 

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TK10J80E Datasheet (PDF)

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TK10J80E

TK10J80EMOSFETs Silicon N-Channel MOS (-MOS)TK10J80ETK10J80ETK10J80ETK10J80E1. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Switching Voltage Regulators2. Features2. Features2. Features2. Features(1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 0.7 (typ.)(2) Low leakage current : IDSS = 10 A (max) (VDS = 640 V)(3) Enhancement mode: Vth =

Otros transistores... TK100E06N1 , TK100E08N1 , TK100E10N1 , TK100L60W , TK100S04N1L , TK10A60W5 , TK10A80E , TK10E60W , IRF740 , TK10P60W , TK10Q60W , TK10V60W , TK11A65W , TK11P65W , TK11Q65W , TK11S10N1L , TK12A60W .

History: SWD10N65K2 | RU40180R

 

 
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