Справочник MOSFET. TK10J80E

 

TK10J80E Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: TK10J80E
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 250 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 800 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 40 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 150 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1 Ohm
   Тип корпуса: TO-3P
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

TK10J80E Datasheet (PDF)

 ..1. Size:226K  toshiba
 tk10j80e.pdf pdf_icon

TK10J80E

TK10J80EMOSFETs Silicon N-Channel MOS (-MOS)TK10J80ETK10J80ETK10J80ETK10J80E1. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Switching Voltage Regulators2. Features2. Features2. Features2. Features(1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 0.7 (typ.)(2) Low leakage current : IDSS = 10 A (max) (VDS = 640 V)(3) Enhancement mode: Vth =

Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

History: SVF1N60N | SWD10N65K2 | GSM9565S | TK100E10N1 | FIR60N04LG | CRTS030N04L | SLD65R700S2

 

 
Back to Top

 


 
.