TK10J80E datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: TK10J80E  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 250 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 800 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 40 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 150 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1 Ohm

Тип корпуса: TO-3P

  📄📄 Копировать ⓘ

Аналог (замена) для TK10J80E

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TK10J80E даташит

 ..1. Size:226K  toshiba
 tk10j80e.pdf pdf_icon

TK10J80E

TK10J80E MOSFETs Silicon N-Channel MOS ( -MOS ) TK10J80E TK10J80E TK10J80E TK10J80E 1. Applications 1. Applications 1. Applications 1. Applications Switching Voltage Regulators 2. Features 2. Features 2. Features 2. Features (1) Low drain-source on-resistance RDS(ON) = 0.7 (typ.) (2) Low leakage current IDSS = 10 A (max) (VDS = 640 V) (3) Enhancement mode Vth =

Другие IGBT... TK100E06N1, TK100E08N1, TK100E10N1, TK100L60W, TK100S04N1L, TK10A60W5, TK10A80E, TK10E60W, IRF740, TK10P60W, TK10Q60W, TK10V60W, TK11A65W, TK11P65W, TK11Q65W, TK11S10N1L, TK12A60W