TK10V60W Todos los transistores

 

TK10V60W MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: TK10V60W
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 83.3 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9.7 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 22 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 20 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.38 Ohm
   Paquete / Cubierta: DFN8X8
     - Selección de transistores por parámetros

 

TK10V60W Datasheet (PDF)

 ..1. Size:251K  toshiba
 tk10v60w.pdf pdf_icon

TK10V60W

TK10V60WMOSFETs Silicon N-Channel MOS (DTMOS)TK10V60WTK10V60WTK10V60WTK10V60W1. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Switching Voltage Regulators2. Features2. Features2. Features2. Features(1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 0.327 (typ.) by used to Super Junction Structure : DTMOS(2) Easy to control Gate switching(3) E

Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: KCY3310A | IRFPC42R | SIHF9540S | HITJ0203MP | BLV830 | SPP80P06PH | SIRA06DP

 

 
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