TK10V60W datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: TK10V60W  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 83.3 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9.7 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 22 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 20 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.38 Ohm

Тип корпуса: DFN8X8

  📄📄 Копировать ⓘ

Аналог (замена) для TK10V60W

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TK10V60W даташит

 ..1. Size:251K  toshiba
 tk10v60w.pdf pdf_icon

TK10V60W

TK10V60W MOSFETs Silicon N-Channel MOS (DTMOS ) TK10V60W TK10V60W TK10V60W TK10V60W 1. Applications 1. Applications 1. Applications 1. Applications Switching Voltage Regulators 2. Features 2. Features 2. Features 2. Features (1) Low drain-source on-resistance RDS(ON) = 0.327 (typ.) by used to Super Junction Structure DTMOS (2) Easy to control Gate switching (3) E

Другие IGBT... TK100L60W, TK100S04N1L, TK10A60W5, TK10A80E, TK10E60W, TK10J80E, TK10P60W, TK10Q60W, IRF540N, TK11A65W, TK11P65W, TK11Q65W, TK11S10N1L, TK12A60W, TK12E60W, TK12J60W, TK12P60W