Справочник MOSFET. TK10V60W

 

TK10V60W Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: TK10V60W
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 83.3 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9.7 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 22 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 20 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.38 Ohm
   Тип корпуса: DFN8X8
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

TK10V60W Datasheet (PDF)

 ..1. Size:251K  toshiba
 tk10v60w.pdf pdf_icon

TK10V60W

TK10V60WMOSFETs Silicon N-Channel MOS (DTMOS)TK10V60WTK10V60WTK10V60WTK10V60W1. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Switching Voltage Regulators2. Features2. Features2. Features2. Features(1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 0.327 (typ.) by used to Super Junction Structure : DTMOS(2) Easy to control Gate switching(3) E

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: 2SJ687 | SIHG47N60S | FDS4685 | 9N95 | MSAFA75N10C | WM06N03LE | HGI110N08AL

 

 
Back to Top

 


 
.