Справочник MOSFET. TK10V60W

 

TK10V60W Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: TK10V60W
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 83.3 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9.7 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 22 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 20 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.38 Ohm
   Тип корпуса: DFN8X8
 

 Аналог (замена) для TK10V60W

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TK10V60W Datasheet (PDF)

 ..1. Size:251K  toshiba
 tk10v60w.pdf pdf_icon

TK10V60W

TK10V60WMOSFETs Silicon N-Channel MOS (DTMOS)TK10V60WTK10V60WTK10V60WTK10V60W1. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Switching Voltage Regulators2. Features2. Features2. Features2. Features(1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 0.327 (typ.) by used to Super Junction Structure : DTMOS(2) Easy to control Gate switching(3) E

Другие MOSFET... TK100L60W , TK100S04N1L , TK10A60W5 , TK10A80E , TK10E60W , TK10J80E , TK10P60W , TK10Q60W , IRF540 , TK11A65W , TK11P65W , TK11Q65W , TK11S10N1L , TK12A60W , TK12E60W , TK12J60W , TK12P60W .

History: WMJ80R350S | GSM4822S | GWM180-004X2-SL

 

 
Back to Top

 


 
.