TK11P65W Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: TK11P65W  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 100 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 650 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 11.1 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 23 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 23 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.44 Ohm

Encapsulados: DPAK

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TK11P65W datasheet

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TK11P65W

TK11P65W MOSFETs Silicon N-Channel MOS (DTMOS ) TK11P65W TK11P65W TK11P65W TK11P65W 1. Applications 1. Applications 1. Applications 1. Applications Switching Voltage Regulators 2. Features 2. Features 2. Features 2. Features (1) Low drain-source on-resistance RDS(ON) = 0.35 (typ.) by used to Super Junction Structure DTMOS (2) Easy to control Gate switching (3) En

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