TK11P65W Todos los transistores

 

TK11P65W MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: TK11P65W
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 100 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 11.1 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 23 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 23 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.44 Ohm
   Paquete / Cubierta: DPAK
 

 Búsqueda de reemplazo de TK11P65W MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

TK11P65W Datasheet (PDF)

 ..1. Size:241K  toshiba
 tk11p65w.pdf pdf_icon

TK11P65W

TK11P65WMOSFETs Silicon N-Channel MOS (DTMOS)TK11P65WTK11P65WTK11P65WTK11P65W1. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Switching Voltage Regulators2. Features2. Features2. Features2. Features(1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 0.35 (typ.) by used to Super Junction Structure : DTMOS(2) Easy to control Gate switching(3) En

Otros transistores... TK10A60W5 , TK10A80E , TK10E60W , TK10J80E , TK10P60W , TK10Q60W , TK10V60W , TK11A65W , 50N06 , TK11Q65W , TK11S10N1L , TK12A60W , TK12E60W , TK12J60W , TK12P60W , TK12Q60W , TK12V60W .

History: TK11S10N1L | WML26N65SR | SML50C15 | YJL3401A | PJU4NA65 | DMN2065UW | CS10N80F

 

 
Back to Top

 


 
.