TK11P65W datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: TK11P65W  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11.1 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 23 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 23 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.44 Ohm

Тип корпуса: DPAK

  📄📄 Копировать ⓘ

Аналог (замена) для TK11P65W

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TK11P65W даташит

 ..1. Size:241K  toshiba
 tk11p65w.pdf pdf_icon

TK11P65W

TK11P65W MOSFETs Silicon N-Channel MOS (DTMOS ) TK11P65W TK11P65W TK11P65W TK11P65W 1. Applications 1. Applications 1. Applications 1. Applications Switching Voltage Regulators 2. Features 2. Features 2. Features 2. Features (1) Low drain-source on-resistance RDS(ON) = 0.35 (typ.) by used to Super Junction Structure DTMOS (2) Easy to control Gate switching (3) En

Другие IGBT... TK10A60W5, TK10A80E, TK10E60W, TK10J80E, TK10P60W, TK10Q60W, TK10V60W, TK11A65W, 50N06, TK11Q65W, TK11S10N1L, TK12A60W, TK12E60W, TK12J60W, TK12P60W, TK12Q60W, TK12V60W