Справочник MOSFET. TK11P65W

 

TK11P65W Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: TK11P65W
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11.1 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 23 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 23 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.44 Ohm
   Тип корпуса: DPAK
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

TK11P65W Datasheet (PDF)

 ..1. Size:241K  toshiba
 tk11p65w.pdf pdf_icon

TK11P65W

TK11P65WMOSFETs Silicon N-Channel MOS (DTMOS)TK11P65WTK11P65WTK11P65WTK11P65W1. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Switching Voltage Regulators2. Features2. Features2. Features2. Features(1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 0.35 (typ.) by used to Super Junction Structure : DTMOS(2) Easy to control Gate switching(3) En

Другие MOSFET... TK10A60W5 , TK10A80E , TK10E60W , TK10J80E , TK10P60W , TK10Q60W , TK10V60W , TK11A65W , 50N06 , TK11Q65W , TK11S10N1L , TK12A60W , TK12E60W , TK12J60W , TK12P60W , TK12Q60W , TK12V60W .

History: NVTFS002N04C | SI9945BDY

 

 
Back to Top

 


 
.