TK11Q65W Todos los transistores

 

TK11Q65W MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: TK11Q65W
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 100 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 11.1 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 23 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 23 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.44 Ohm
   Paquete / Cubierta: IPAK
 

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TK11Q65W PDF Specs

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TK11Q65W

TK11Q65W MOSFETs Silicon N-Channel MOS (DTMOS ) TK11Q65W TK11Q65W TK11Q65W TK11Q65W 1. Applications 1. Applications 1. Applications 1. Applications Switching Voltage Regulators 2. Features 2. Features 2. Features 2. Features (1) Low drain-source on-resistance RDS(ON) = 0.35 (typ.) by used to Super Junction Structure DTMOS (2) Easy to control Gate switching (3) En... See More ⇒

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TK11Q65W

INCHANGE Semiconductor isc N-Channel MOSFET Transistor TK11Q65W ITK11Q65W FEATURES Low drain-source on-resistance RDS(on) 0.44 . Enhancement mode Vth =2.5 to 3.5V (VDS = 10 V, ID=0.45mA) 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRITION Switching Voltage Regulators ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =... See More ⇒

Otros transistores... TK10A80E , TK10E60W , TK10J80E , TK10P60W , TK10Q60W , TK10V60W , TK11A65W , TK11P65W , IRFP460 , TK11S10N1L , TK12A60W , TK12E60W , TK12J60W , TK12P60W , TK12Q60W , TK12V60W , TK14A65W .

 

 
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