Справочник MOSFET. TK11Q65W

 

TK11Q65W MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

Наименование прибора: TK11Q65W

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 100 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 650 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V

Пороговое напряжение включения Ugs(th): 3.5 V

Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 11.1 A

Максимальная температура канала (Tj): 150 °C

Общий заряд затвора (Qg): 25 nC

Время нарастания (tr): 23 ns

Выходная емкость (Cd): 23 pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.44 Ohm

Тип корпуса: IPAK

Аналог (замена) для TK11Q65W

 

 

TK11Q65W Datasheet (PDF)

1.1. tk11q65w.pdf Size:243K _toshiba

TK11Q65W
TK11Q65W

TK11Q65W MOSFETs Silicon N-Channel MOS (DTMOS) TK11Q65W TK11Q65W TK11Q65W TK11Q65W 1. Applications 1. Applications 1. Applications 1. Applications • Switching Voltage Regulators 2. Features 2. Features 2. Features 2. Features (1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 0.35 Ω (typ.) by used to Super Junction Structure : DTMOS (2) Easy to control Gate switching (3) En

Другие MOSFET... GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , IRF250 , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL , FDMS3604S , GWM100-01X1-SMD , FDMS3602AS , GWM120-0075X1-SL .

 

 
Back to Top