TK11Q65W - аналоги и даташиты транзистора

 

TK11Q65W - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: TK11Q65W
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11.1 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 23 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 23 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.44 Ohm
   Тип корпуса: IPAK

 Аналог (замена) для TK11Q65W

 

TK11Q65W Datasheet (PDF)

 ..1. Size:243K  toshiba
 tk11q65w.pdf pdf_icon

TK11Q65W

TK11Q65W MOSFETs Silicon N-Channel MOS (DTMOS ) TK11Q65W TK11Q65W TK11Q65W TK11Q65W 1. Applications 1. Applications 1. Applications 1. Applications Switching Voltage Regulators 2. Features 2. Features 2. Features 2. Features (1) Low drain-source on-resistance RDS(ON) = 0.35 (typ.) by used to Super Junction Structure DTMOS (2) Easy to control Gate switching (3) En

 ..2. Size:233K  inchange semiconductor
 tk11q65w.pdf pdf_icon

TK11Q65W

INCHANGE Semiconductor isc N-Channel MOSFET Transistor TK11Q65W ITK11Q65W FEATURES Low drain-source on-resistance RDS(on) 0.44 . Enhancement mode Vth =2.5 to 3.5V (VDS = 10 V, ID=0.45mA) 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRITION Switching Voltage Regulators ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =

Другие MOSFET... TK10A80E , TK10E60W , TK10J80E , TK10P60W , TK10Q60W , TK10V60W , TK11A65W , TK11P65W , IRFP460 , TK11S10N1L , TK12A60W , TK12E60W , TK12J60W , TK12P60W , TK12Q60W , TK12V60W , TK14A65W .

 

 
Back to Top

 


 
.