Справочник MOSFET. TK11Q65W

 

TK11Q65W Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: TK11Q65W
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11.1 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 23 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 23 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.44 Ohm
   Тип корпуса: IPAK
 

 Аналог (замена) для TK11Q65W

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TK11Q65W Datasheet (PDF)

 ..1. Size:243K  toshiba
 tk11q65w.pdf pdf_icon

TK11Q65W

TK11Q65WMOSFETs Silicon N-Channel MOS (DTMOS)TK11Q65WTK11Q65WTK11Q65WTK11Q65W1. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Switching Voltage Regulators2. Features2. Features2. Features2. Features(1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 0.35 (typ.) by used to Super Junction Structure : DTMOS(2) Easy to control Gate switching(3) En

 ..2. Size:233K  inchange semiconductor
 tk11q65w.pdf pdf_icon

TK11Q65W

INCHANGE Semiconductorisc N-Channel MOSFET Transistor TK11Q65WITK11Q65WFEATURESLow drain-source on-resistance:RDS(on) 0.44.Enhancement mode:Vth =2.5 to 3.5V (VDS = 10 V, ID=0.45mA)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONSwitching Voltage RegulatorsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =

Другие MOSFET... TK10A80E , TK10E60W , TK10J80E , TK10P60W , TK10Q60W , TK10V60W , TK11A65W , TK11P65W , IRF640 , TK11S10N1L , TK12A60W , TK12E60W , TK12J60W , TK12P60W , TK12Q60W , TK12V60W , TK14A65W .

History: ME3449D-G | CJ3134K | STP6N62K3 | NCE8205T | MMF80R900PCTH | FS10SM-10 | STP13NM60ND

 

 
Back to Top

 


 
.