TK11Q65W datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: TK11Q65W  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11.1 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 23 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 23 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.44 Ohm

Тип корпуса: IPAK

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для TK11Q65W

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TK11Q65W даташит

 ..1. Size:243K  toshiba
 tk11q65w.pdf pdf_icon

TK11Q65W

TK11Q65W MOSFETs Silicon N-Channel MOS (DTMOS ) TK11Q65W TK11Q65W TK11Q65W TK11Q65W 1. Applications 1. Applications 1. Applications 1. Applications Switching Voltage Regulators 2. Features 2. Features 2. Features 2. Features (1) Low drain-source on-resistance RDS(ON) = 0.35 (typ.) by used to Super Junction Structure DTMOS (2) Easy to control Gate switching (3) En

 ..2. Size:233K  inchange semiconductor
 tk11q65w.pdf pdf_icon

TK11Q65W

INCHANGE Semiconductor isc N-Channel MOSFET Transistor TK11Q65W ITK11Q65W FEATURES Low drain-source on-resistance RDS(on) 0.44 . Enhancement mode Vth =2.5 to 3.5V (VDS = 10 V, ID=0.45mA) 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRITION Switching Voltage Regulators ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =

Другие IGBT... TK10A80E, TK10E60W, TK10J80E, TK10P60W, TK10Q60W, TK10V60W, TK11A65W, TK11P65W, 50N06, TK11S10N1L, TK12A60W, TK12E60W, TK12J60W, TK12P60W, TK12Q60W, TK12V60W, TK14A65W