TK11S10N1L Todos los transistores

 

TK11S10N1L MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: TK11S10N1L
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 65 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 11 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 13 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 370 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.028 Ohm
   Paquete / Cubierta: DPAK
 

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TK11S10N1L Datasheet (PDF)

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TK11S10N1L

TK11S10N1LMOSFETs Silicon N-channel MOS (U-MOS-H)TK11S10N1LTK11S10N1LTK11S10N1LTK11S10N1L1. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Automotive Motor Drivers Switching Voltage Regulators2. Features2. Features2. Features2. Features(1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 23 m (typ.) (VGS = 10 V)(2) Low leakage current: IDSS

Otros transistores... TK10E60W , TK10J80E , TK10P60W , TK10Q60W , TK10V60W , TK11A65W , TK11P65W , TK11Q65W , IRFZ44 , TK12A60W , TK12E60W , TK12J60W , TK12P60W , TK12Q60W , TK12V60W , TK14A65W , TK14A65W5 .

History: IPA80R1K4P7 | HY3410M | TMD8N65H | RMW180N03 | IXFN110N60P3 | IRFB7430PBF | SIHD3N50D

 

 
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