TK11S10N1L Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: TK11S10N1L  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 65 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 11 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 13 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 370 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.028 Ohm

Encapsulados: DPAK

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TK11S10N1L datasheet

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TK11S10N1L

TK11S10N1L MOSFETs Silicon N-channel MOS (U-MOS -H) TK11S10N1L TK11S10N1L TK11S10N1L TK11S10N1L 1. Applications 1. Applications 1. Applications 1. Applications Automotive Motor Drivers Switching Voltage Regulators 2. Features 2. Features 2. Features 2. Features (1) Low drain-source on-resistance RDS(ON) = 23 m (typ.) (VGS = 10 V) (2) Low leakage current IDSS

Otros transistores... TK10E60W, TK10J80E, TK10P60W, TK10Q60W, TK10V60W, TK11A65W, TK11P65W, TK11Q65W, IRFZ44, TK12A60W, TK12E60W, TK12J60W, TK12P60W, TK12Q60W, TK12V60W, TK14A65W, TK14A65W5