TK11S10N1L datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: TK11S10N1L  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 65 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 13 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 370 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.028 Ohm

Тип корпуса: DPAK

  📄📄 Копировать ⓘ

Аналог (замена) для TK11S10N1L

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TK11S10N1L даташит

 ..1. Size:417K  toshiba
 tk11s10n1l.pdf pdf_icon

TK11S10N1L

TK11S10N1L MOSFETs Silicon N-channel MOS (U-MOS -H) TK11S10N1L TK11S10N1L TK11S10N1L TK11S10N1L 1. Applications 1. Applications 1. Applications 1. Applications Automotive Motor Drivers Switching Voltage Regulators 2. Features 2. Features 2. Features 2. Features (1) Low drain-source on-resistance RDS(ON) = 23 m (typ.) (VGS = 10 V) (2) Low leakage current IDSS

Другие IGBT... TK10E60W, TK10J80E, TK10P60W, TK10Q60W, TK10V60W, TK11A65W, TK11P65W, TK11Q65W, IRFZ44, TK12A60W, TK12E60W, TK12J60W, TK12P60W, TK12Q60W, TK12V60W, TK14A65W, TK14A65W5