Справочник MOSFET. TK11S10N1L

 

TK11S10N1L Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: TK11S10N1L
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 65 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 13 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 370 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.028 Ohm
   Тип корпуса: DPAK
 

 Аналог (замена) для TK11S10N1L

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TK11S10N1L Datasheet (PDF)

 ..1. Size:417K  toshiba
 tk11s10n1l.pdf pdf_icon

TK11S10N1L

TK11S10N1LMOSFETs Silicon N-channel MOS (U-MOS-H)TK11S10N1LTK11S10N1LTK11S10N1LTK11S10N1L1. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Automotive Motor Drivers Switching Voltage Regulators2. Features2. Features2. Features2. Features(1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 23 m (typ.) (VGS = 10 V)(2) Low leakage current: IDSS

Другие MOSFET... TK10E60W , TK10J80E , TK10P60W , TK10Q60W , TK10V60W , TK11A65W , TK11P65W , TK11Q65W , IRFZ44 , TK12A60W , TK12E60W , TK12J60W , TK12P60W , TK12Q60W , TK12V60W , TK14A65W , TK14A65W5 .

History: FDD6N50TF | 2SJ125 | NVMFD5C650NL | IRFU420B | 2SJ217 | UM6K31N

 

 
Back to Top

 


 
.