TK12P60W Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: TK12P60W  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 100 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 600 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 11.5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 23 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 23 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.34 Ohm

Encapsulados: DPAK

 Búsqueda de reemplazo de TK12P60W MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

TK12P60W datasheet

 ..1. Size:242K  toshiba
 tk12p60w.pdf pdf_icon

TK12P60W

TK12P60W MOSFETs Silicon N-Channel MOS (DTMOS ) TK12P60W TK12P60W TK12P60W TK12P60W 1. Applications 1. Applications 1. Applications 1. Applications Switching Voltage Regulators 2. Features 2. Features 2. Features 2. Features (1) Low drain-source on-resistance RDS(ON) = 0.265 (typ.) by used to Super Junction Structure DTMOS (2) Easy to control Gate switching (3) E

 ..2. Size:262K  inchange semiconductor
 tk12p60w.pdf pdf_icon

TK12P60W

Isc N-Channel MOSFET Transistor TK12P60W FEATURES With To-252(DPAK) package Low input capacitance and gate charge Low gate input resistance 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Switching applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V Drain-Source Volta

Otros transistores... TK10V60W, TK11A65W, TK11P65W, TK11Q65W, TK11S10N1L, TK12A60W, TK12E60W, TK12J60W, IRFB4110, TK12Q60W, TK12V60W, TK14A65W, TK14A65W5, TK14C65W, TK14C65W5, TK14E65W, TK14E65W5