TK12P60W datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: TK12P60W  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 23 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 23 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.34 Ohm

Тип корпуса: DPAK

  📄📄 Копировать ⓘ

Аналог (замена) для TK12P60W

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TK12P60W даташит

 ..1. Size:242K  toshiba
 tk12p60w.pdf pdf_icon

TK12P60W

TK12P60W MOSFETs Silicon N-Channel MOS (DTMOS ) TK12P60W TK12P60W TK12P60W TK12P60W 1. Applications 1. Applications 1. Applications 1. Applications Switching Voltage Regulators 2. Features 2. Features 2. Features 2. Features (1) Low drain-source on-resistance RDS(ON) = 0.265 (typ.) by used to Super Junction Structure DTMOS (2) Easy to control Gate switching (3) E

 ..2. Size:262K  inchange semiconductor
 tk12p60w.pdf pdf_icon

TK12P60W

Isc N-Channel MOSFET Transistor TK12P60W FEATURES With To-252(DPAK) package Low input capacitance and gate charge Low gate input resistance 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Switching applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V Drain-Source Volta

Другие IGBT... TK10V60W, TK11A65W, TK11P65W, TK11Q65W, TK11S10N1L, TK12A60W, TK12E60W, TK12J60W, IRFB4110, TK12Q60W, TK12V60W, TK14A65W, TK14A65W5, TK14C65W, TK14C65W5, TK14E65W, TK14E65W5