Справочник MOSFET. TK12P60W

 

TK12P60W Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: TK12P60W
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11.5 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 23 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 23 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.34 Ohm
   Тип корпуса: DPAK
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

TK12P60W Datasheet (PDF)

 ..1. Size:242K  toshiba
 tk12p60w.pdf pdf_icon

TK12P60W

TK12P60WMOSFETs Silicon N-Channel MOS (DTMOS)TK12P60WTK12P60WTK12P60WTK12P60W1. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Switching Voltage Regulators2. Features2. Features2. Features2. Features(1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 0.265 (typ.) by used to Super Junction Structure : DTMOS(2) Easy to control Gate switching(3) E

 ..2. Size:262K  inchange semiconductor
 tk12p60w.pdf pdf_icon

TK12P60W

Isc N-Channel MOSFET Transistor TK12P60WFEATURESWith To-252(DPAK) packageLow input capacitance and gate chargeLow gate input resistance100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSSwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Drain-Source Volta

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: IRF1405ZS-7PPBF | WMB090DN04LG2 | DMG2301LK | NVTR4503N | PSMN6R5-25YLC | STL7N10F7 | BUZ84

 

 
Back to Top

 


 
.