TK12Q60W Todos los transistores

 

TK12Q60W MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: TK12Q60W
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 100 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 11.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 23 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 23 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.34 Ohm
   Paquete / Cubierta: IPAK
 

 Búsqueda de reemplazo de TK12Q60W MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

TK12Q60W datasheet

 ..1. Size:244K  toshiba
 tk12q60w.pdf pdf_icon

TK12Q60W

TK12Q60W MOSFETs Silicon N-Channel MOS (DTMOS ) TK12Q60W TK12Q60W TK12Q60W TK12Q60W 1. Applications 1. Applications 1. Applications 1. Applications Switching Voltage Regulators 2. Features 2. Features 2. Features 2. Features (1) Low drain-source on-resistance RDS(ON) = 0.265 (typ.) by used to Super Junction Structure DTMOS (2) Easy to control Gate switching (3) E

 ..2. Size:233K  inchange semiconductor
 tk12q60w.pdf pdf_icon

TK12Q60W

INCHANGE Semiconductor isc N-Channel MOSFET Transistor TK12Q60W ITK12Q60W FEATURES Low drain-source on-resistance RDS(on) 0.34 . Enhancement mode Vth =2.7 to 3.7V (VDS = 10 V, ID=0.6mA) 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRITION Switching Voltage Regulators ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =2

Otros transistores... TK11A65W , TK11P65W , TK11Q65W , TK11S10N1L , TK12A60W , TK12E60W , TK12J60W , TK12P60W , IRF640N , TK12V60W , TK14A65W , TK14A65W5 , TK14C65W , TK14C65W5 , TK14E65W , TK14E65W5 , TK14G65W .

 

 

 


 
↑ Back to Top
.