TK12Q60W Todos los transistores

 

TK12Q60W MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: TK12Q60W
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 100 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 11.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 23 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 23 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.34 Ohm
   Paquete / Cubierta: IPAK
 

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TK12Q60W Datasheet (PDF)

 ..1. Size:244K  toshiba
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TK12Q60W

TK12Q60WMOSFETs Silicon N-Channel MOS (DTMOS)TK12Q60WTK12Q60WTK12Q60WTK12Q60W1. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Switching Voltage Regulators2. Features2. Features2. Features2. Features(1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 0.265 (typ.) by used to Super Junction Structure : DTMOS(2) Easy to control Gate switching(3) E

 ..2. Size:233K  inchange semiconductor
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TK12Q60W

INCHANGE Semiconductorisc N-Channel MOSFET Transistor TK12Q60WITK12Q60WFEATURESLow drain-source on-resistance:RDS(on) 0.34.Enhancement mode:Vth =2.7 to 3.7V (VDS = 10 V, ID=0.6mA)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONSwitching Voltage RegulatorsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =2

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History: RU5H18Q | VBZQA80N03

 

 
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