Справочник MOSFET. TK12Q60W

 

TK12Q60W Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: TK12Q60W
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 23 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 23 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.34 Ohm
   Тип корпуса: IPAK
 

 Аналог (замена) для TK12Q60W

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TK12Q60W Datasheet (PDF)

 ..1. Size:244K  toshiba
 tk12q60w.pdf pdf_icon

TK12Q60W

TK12Q60WMOSFETs Silicon N-Channel MOS (DTMOS)TK12Q60WTK12Q60WTK12Q60WTK12Q60W1. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Switching Voltage Regulators2. Features2. Features2. Features2. Features(1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 0.265 (typ.) by used to Super Junction Structure : DTMOS(2) Easy to control Gate switching(3) E

 ..2. Size:233K  inchange semiconductor
 tk12q60w.pdf pdf_icon

TK12Q60W

INCHANGE Semiconductorisc N-Channel MOSFET Transistor TK12Q60WITK12Q60WFEATURESLow drain-source on-resistance:RDS(on) 0.34.Enhancement mode:Vth =2.7 to 3.7V (VDS = 10 V, ID=0.6mA)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONSwitching Voltage RegulatorsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =2

Другие MOSFET... TK11A65W , TK11P65W , TK11Q65W , TK11S10N1L , TK12A60W , TK12E60W , TK12J60W , TK12P60W , IRF630 , TK12V60W , TK14A65W , TK14A65W5 , TK14C65W , TK14C65W5 , TK14E65W , TK14E65W5 , TK14G65W .

History: STB11NM60 | R6507ENJ | IRF1018ESLPBF | R5013ANX | FTK4828 | TMU2N60AZ | IRF1018ESPBF

 

 
Back to Top

 


 
.