TK12Q60W MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: TK12Q60W
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 100 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 600 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V
Пороговое напряжение включения Ugs(th): 3.7 V
Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 11.5 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 25 nC
Время нарастания (tr): 23 ns
Выходная емкость (Cd): 23 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.34 Ohm
Тип корпуса: IPAK
TK12Q60W Datasheet (PDF)
1.1. tk12q60w.pdf 
Size:244K _toshiba
TK12Q60W MOSFETs Silicon N-Channel MOS (DTMOS) TK12Q60W TK12Q60W TK12Q60W TK12Q60W 1. Applications 1. Applications 1. Applications 1. Applications • Switching Voltage Regulators 2. Features 2. Features 2. Features 2. Features (1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 0.265 Ω (typ.) by used to Super Junction Structure : DTMOS (2) Easy to control Gate switching (3) E
1.2. tk12q60w.pdf Size:233K _inchange_semiconductor
INCHANGE Semiconductor isc N-Channel MOSFET Transistor TK12Q60W，ITK12Q60W ·FEATURES ·Low drain-source on-resistance: RDS(on) ≤0.34Ω. ·Enhancement mode: Vth =2.7 to 3.7V (VDS = 10 V, ID=0.6mA) ·100% avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation ·DESCRITION ·Switching Voltage Regulators ·ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =2
Другие MOSFET... GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , IRF250 , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL , FDMS3604S , GWM100-01X1-SMD , FDMS3602AS , GWM120-0075X1-SL .
