TK12Q60W - описание и поиск аналогов

 

TK12Q60W. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: TK12Q60W

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 23 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 23 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.34 Ohm

Тип корпуса: IPAK

Аналог (замена) для TK12Q60W

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TK12Q60W даташит

 ..1. Size:244K  toshiba
 tk12q60w.pdf pdf_icon

TK12Q60W

TK12Q60W MOSFETs Silicon N-Channel MOS (DTMOS ) TK12Q60W TK12Q60W TK12Q60W TK12Q60W 1. Applications 1. Applications 1. Applications 1. Applications Switching Voltage Regulators 2. Features 2. Features 2. Features 2. Features (1) Low drain-source on-resistance RDS(ON) = 0.265 (typ.) by used to Super Junction Structure DTMOS (2) Easy to control Gate switching (3) E

 ..2. Size:233K  inchange semiconductor
 tk12q60w.pdf pdf_icon

TK12Q60W

INCHANGE Semiconductor isc N-Channel MOSFET Transistor TK12Q60W ITK12Q60W FEATURES Low drain-source on-resistance RDS(on) 0.34 . Enhancement mode Vth =2.7 to 3.7V (VDS = 10 V, ID=0.6mA) 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRITION Switching Voltage Regulators ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =2

Другие MOSFET... TK11A65W , TK11P65W , TK11Q65W , TK11S10N1L , TK12A60W , TK12E60W , TK12J60W , TK12P60W , IRF640N , TK12V60W , TK14A65W , TK14A65W5 , TK14C65W , TK14C65W5 , TK14E65W , TK14E65W5 , TK14G65W .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.