TK12V60W MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: TK12V60W
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 104 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 11.5 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 23 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 23 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.3 Ohm
Paquete / Cubierta: DFN8X8
Búsqueda de reemplazo de TK12V60W MOSFET
TK12V60W Datasheet (PDF)
tk12v60w.pdf

TK12V60WMOSFETs Silicon N-Channel MOS (DTMOS)TK12V60WTK12V60WTK12V60WTK12V60W1. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Switching Voltage Regulators2. Features2. Features2. Features2. Features(1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 0.265 (typ.) by used to Super Junction Structure : DTMOS(2) Easy to control Gate switching(3) E
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History: R5007ANJ | AON7518 | HM4630D | CS6N90W | GP1M009A020XG | SLC500MM15SHN2
History: R5007ANJ | AON7518 | HM4630D | CS6N90W | GP1M009A020XG | SLC500MM15SHN2



Liste
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