TK12V60W datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: TK12V60W  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 104 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 23 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 23 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.3 Ohm

Тип корпуса: DFN8X8

  📄📄 Копировать ⓘ

Аналог (замена) для TK12V60W

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TK12V60W даташит

 ..1. Size:261K  toshiba
 tk12v60w.pdf pdf_icon

TK12V60W

TK12V60W MOSFETs Silicon N-Channel MOS (DTMOS ) TK12V60W TK12V60W TK12V60W TK12V60W 1. Applications 1. Applications 1. Applications 1. Applications Switching Voltage Regulators 2. Features 2. Features 2. Features 2. Features (1) Low drain-source on-resistance RDS(ON) = 0.265 (typ.) by used to Super Junction Structure DTMOS (2) Easy to control Gate switching (3) E

Другие IGBT... TK11P65W, TK11Q65W, TK11S10N1L, TK12A60W, TK12E60W, TK12J60W, TK12P60W, TK12Q60W, IRFP260N, TK14A65W, TK14A65W5, TK14C65W, TK14C65W5, TK14E65W, TK14E65W5, TK14G65W, TK14G65W5