TK15S04N1L Todos los transistores

 

TK15S04N1L MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: TK15S04N1L
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 46 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 15 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 6 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 390 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0178 Ohm
   Paquete / Cubierta: DPAK
 

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TK15S04N1L Datasheet (PDF)

 ..1. Size:308K  toshiba
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TK15S04N1L

TK15S04N1LMOSFETs Silicon N-channel MOS (U-MOS-H)TK15S04N1LTK15S04N1LTK15S04N1LTK15S04N1L1. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Automotive Motor Drivers Switching Voltage Regulators2. Features2. Features2. Features2. Features(1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 13.7 m (typ.)(2) Low leakage current: IDSS = 10 A (

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History: 2SK3609-01 | SSM3J16FV | SRC65R110BS | PTP16N60 | PTF2N65 | AP4416GH | STD52P3LLH6

 

 
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