TK15S04N1L datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: TK15S04N1L  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 46 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 6 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 390 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0178 Ohm

Тип корпуса: DPAK

  📄📄 Копировать ⓘ

Аналог (замена) для TK15S04N1L

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TK15S04N1L даташит

 ..1. Size:308K  toshiba
 tk15s04n1l.pdf pdf_icon

TK15S04N1L

TK15S04N1L MOSFETs Silicon N-channel MOS (U-MOS -H) TK15S04N1L TK15S04N1L TK15S04N1L TK15S04N1L 1. Applications 1. Applications 1. Applications 1. Applications Automotive Motor Drivers Switching Voltage Regulators 2. Features 2. Features 2. Features 2. Features (1) Low drain-source on-resistance RDS(ON) = 13.7 m (typ.) (2) Low leakage current IDSS = 10 A (

Другие IGBT... TK14C65W5, TK14E65W, TK14E65W5, TK14G65W, TK14G65W5, TK14N65W, TK14N65W5, TK14V65W, IRF630, TK160F10N1, TK16A60W, TK16A60W5, TK16C60W, TK16E60W, TK16E60W5, TK16G60W, TK16G60W5