Справочник MOSFET. TK15S04N1L

 

TK15S04N1L Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: TK15S04N1L
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 46 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 6 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 390 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0178 Ohm
   Тип корпуса: DPAK
 

 Аналог (замена) для TK15S04N1L

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TK15S04N1L Datasheet (PDF)

 ..1. Size:308K  toshiba
 tk15s04n1l.pdf pdf_icon

TK15S04N1L

TK15S04N1LMOSFETs Silicon N-channel MOS (U-MOS-H)TK15S04N1LTK15S04N1LTK15S04N1LTK15S04N1L1. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Automotive Motor Drivers Switching Voltage Regulators2. Features2. Features2. Features2. Features(1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 13.7 m (typ.)(2) Low leakage current: IDSS = 10 A (

Другие MOSFET... TK14C65W5 , TK14E65W , TK14E65W5 , TK14G65W , TK14G65W5 , TK14N65W , TK14N65W5 , TK14V65W , 7N65 , TK160F10N1 , TK16A60W , TK16A60W5 , TK16C60W , TK16E60W , TK16E60W5 , TK16G60W , TK16G60W5 .

 

 
Back to Top

 


 
.